Infraspek

比色皿设计用于检测阈值<1%的气体中的杂质。 流方式或抽真空后的气体填充。 外壳由不生锈的钢制成，两个波纹管阀。 光路长度为100毫米。 窗口Ø40mm，KBr材料与防潮涂层或Ca F2。

控制台设计用于在透射或反射模式下控制直径达200mm的半导体晶片的参数。 板材的参数通过高度敏感的非接触式方法在操作员指定的点进行控制。

DT13支架设计为通过直径为13mm的片剂的机械夹具固定，从粉末状固体样品和KBr晶体的混合物中压缩。

Cuvette PC50-75的支架专为安装而设计: 石英比色皿SF型支架DC10-10; 石英比色皿型KFK在支架DC KFK; 可折叠比色皿KR1, 可折叠比色皿KR20, 电影 支架，平板电脑 夹持器、固体样品夹持器。

对于气体比色皿KG48，使用直径为22mm的窗口。 您可以从KBr和CaF2购买windows。

多通道气体比色皿KG48专为测定阈值<1ppm的气体中的杂质而设计。 光路长度为0.8-4.8m，变化步长为0.8m。 波纹管阀门。 窗户Ø22毫米，材料：kbr与防潮涂层或CaF2。 比色皿的体积为2.4升。

DT13支架设计为通过直径为13mm的片剂的机械夹具固定，从粉末状固体样品和KBr晶体的混合物中压缩。

用于监测半导体晶片参数的测试仪FSM1201P允许按照操作者设定的程序，自动测量放置在测量台上的直径为76、100、125、150和200毫米的平面平行抛光硅晶片。 一点的标准测量时间不超过20秒。 主要受控参数: 间质氧的浓度(板厚0.4-2.0mm)内(5×1015-2×1018)±5×1015 sm-3(半MF1188); 取代碳浓度(板厚0.4-2.0mm)范围:(1016-5×1017)±1016cm-3(半MF1391); 硅片中氧分布的径向不均匀性(半MF951); n-n+和p-p+类型的硅结构的外延层的厚度在(0.5–10.0)±0.1微米、(10-200)±1%微米(SEMI MF95)的范围内; CNS结构中外延硅层的厚度在(0.1-10.0)±1%微米范围内; FSS层中的磷和bfss层中的硼/磷的浓度在(1-10)±0.2重量％以内。