Infraspek

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俄罗斯, Saint Petersburg, Lensoveta, 88, room. 37N
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红外傅里叶光谱仪FSM2203
红外傅里叶光谱仪FSM2203
实验室红外傅里叶光谱仪FSM2203设计用于进行需要提高光谱分辨率的研究,包括气体的定性和定量分析。 该设备在光谱的中红外区域工作,具有用于输入来自外部源的辐射的光学端口,并且配备了惰性气体吹扫系统。
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生产于: 圣彼得堡
DT13片剂支架
DT13片剂支架
DT13支架设计为通过直径为13mm的片剂的机械夹具固定,从粉末状固体样品和KBr晶体的混合物中压缩。
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生产于: 圣彼得堡
镜面反射前缀PZO80
镜面反射前缀PZO80
它用于测量厚度在纳米范围内的非常薄的涂层,并研究单分子层。
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Kg48比色皿的窗户
Kg48比色皿的窗户
对于气体比色皿KG48,使用直径为22mm的窗口。 您可以从KBr和CaF2购买windows。
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生产于: 圣彼得堡
硅片前缀
硅片前缀
控制台设计用于在透射或反射模式下控制直径达200mm的半导体晶片的参数。 板材的参数通过高度敏感的非接触式方法在操作员指定的点进行控制。
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生产于: 圣彼得堡
半导体晶圆测试仪FSM1201P
半导体晶圆测试仪FSM1201P
用于监测半导体晶片参数的测试仪FSM1201P允许按照操作者设定的程序,自动测量放置在测量台上的直径为76、100、125、150和200毫米的平面平行抛光硅晶片。 一点的标准测量时间不超过20秒。 主要受控参数: 间质氧的浓度(板厚0.4-2.0mm)内(5×1015-2×1018)±5×1015 sm-3(半MF1188); 取代碳浓度(板厚0.4-2.0mm)范围:(1016-5×1017)±1016cm-3(半MF1391); 硅片中氧分布的径向不均匀性(半MF951); n-n+和p-p+类型的硅结构的外延层的厚度在(0.5–10.0)±0.1微米、(10-200)±1%微米(SEMI MF95)的范围内; CNS结构中外延硅层的厚度在(0.1-10.0)±1%微米范围内; FSS层中的磷和bfss层中的硼/磷的浓度在(1-10)±0.2重量%以内。
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生产于: 圣彼得堡
气体比色皿恒温控制KGT01
气体比色皿恒温控制KGT01
比色皿具有100mm的固定光程长度,设计用于通过IR透射光谱学研究流动或静态模式下的气体,气体混合物和蒸气,并有可能保持或改变样品的温度。 比色皿安装在光谱仪中,并借助气体传输管连接到所研究气体样品的源。 比色皿中使用由ZnSe和KBr材料制成的可更换光学窗口。 加热到250°C的可能性避免了进入比色皿的挥发性物质的冷凝和沉淀。 内置加热器和电池温度传感器的控制是使用温度控制器(包括在交付包中)进行的。 比色皿本体的材料为不锈钢。 比色皿配有标准平台,用于安装在IR傅里叶光谱仪FSM中。
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生产于: 圣彼得堡
用于kr20和KG01的窗口Ø40mm
用于kr20和KG01的窗口Ø40mm
直径为40mm的窗口用于液体比色皿KR20和气体比色皿KG01。
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生产于: 圣彼得堡
DC10-10比色皿支架
DC10-10比色皿支架
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为了在FSM光谱仪中安装SF型石英比色皿,使用DC10-10支架,其具有标准的50x75mm连接杆,用它插入fsm红外傅里叶光谱仪的PK50-75比色皿的支架中。
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