Вернуться к результатам поиска

ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ НА ОСНОВЕ НА ОСНОВЕ МАТРИЦЫ ФОТОДИОДОВ ИЗ СОЕДИНЕНИЯ КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР ФЭМ8МЫ

Вернуться к результатам поиска
ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ НА ОСНОВЕ НА ОСНОВЕ МАТРИЦЫ ФОТОДИОДОВ ИЗ СОЕДИНЕНИЯ КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР ФЭМ8МЫ
В состав модуля входят: матричное фотоприемное устройство, интегральная микрокриогенная система Стирлинга и электронный блок сопряжения.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Наименование Значение
Формат 384×288
Шаг элементов матрицы, мкм 28
Диапазон спектральной чувствительности, мк 8 - 11
Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной характеристики, Вт-1· Гц1/2 ·см, не менее 4·1010
Вольтовая чувствительность в максимуме спектральной характеристики, В/Вт, не менее 107
Частота кадров, Гц 50
Время накопления, мкс 0 - 64
Количество выходов 2
Максимальная тактовая частота, МГц 4
Динамический диапазон выходных сигналов, дБ, не менее 60
Масса, г, не более 1400