Поиск

14 тов.
Вид:
  • Выбрано: 0
    Применение
  • Выбрано: 1
    Название
  • Выбрано: 0
    Компания
  • Выбрано: 0
    Производство
  • Выбрано: 0
    Дополнительно
Все фильтры
  • 5
    Применение
  • Название
  • 4
    Компания
  • 3
    Производство
  • 2
    Дополнительно
Вид:
14 тов.
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342М
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342М
Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5
Орион
Москва
Произведено в: Москва
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342-02
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342-02
Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,2 Токовая монохроматическая чувствительность в масимуме, А/Вт, не менее Темновой ток, мкА, не более 7 Рабочее напряжение, В 75 Граничная частота, МГц, не менее 5 Емкость фотодиода, пФ, не более 70
Орион
Москва
Произведено в: Москва
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342
Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,2 Токовая монохроматическая чувствительность в масимуме, А/Вт, не менее Темновой ток, мкА, не более 7 Рабочее напряжение, В 75 Граничная частота, МГц, не менее 5
Орион
Москва
Произведено в: Москва
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342-03
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342-03
Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5
Орион
Москва
Произведено в: Москва
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ФОТОДИОД С КОДОМ ГРЕЯ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ ФД246АМ
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ФОТОДИОД С КОДОМ ГРЕЯ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ ФД246АМ
Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 4 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15
Орион
Москва
Произведено в: Москва
Фотоприемное устройство с кремниевым фотодиодом
Фотоприемное устройство с кремниевым фотодиодом
Фотоприемное устройство с кремниевым фотодиодом (далее — ФПУ ФД) предназначено для регистрации световых потоков в спектральном диапазоне от 190 до 1100 нм. Устройство содержит фотодиод и предусилитель с АЦП преобразующий аналоговый сигнал в цифровой с частотой 40 кГЦ (25 мкс на один цикл АЦП) и микропроцессором с выходом на шину IIC. ФПУ ФД может использоваться для измерений при относительно высоких уровнях освещенности — когда шум, вызванный фотонами, сильнее шума встроенного усилителя.
ЛОМО ФОТОНИКА ПЛЮС
Санкт-Петербург
Произведено в: Санкт-Петербург
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342
Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,2 Токовая монохроматическая чувствительность в масимуме, А/Вт, не менее Темновой ток, мкА, не более 7 Рабочее напряжение, В 75 Граничная частота, МГц, не менее 5
Орион
Москва
Произведено в: Москва
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342-02 ГРУППА А
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342-02 ГРУППА А
Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 150 Рабочее напряжение, В 20 Длительность импульса, нс 100
Орион
Москва
Произведено в: Москва
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342М
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342М
Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5
Орион
Москва
Произведено в: Москва
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342-03
P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342-03
Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5
Орион
Москва
Произведено в: Москва
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ФОТОДИОД С КОДОМ ГРЕЯ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ ФД246БМ
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ФОТОДИОД С КОДОМ ГРЕЯ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ ФД246БМ
Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 2 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15
Орион
Москва
Произведено в: Москва