ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ФОРМАТА 640X512 НА ОСНОВЕ АНТИМОНИДА ИНДИЯ ФЭМ29М

Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 2 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15

В состав модуля входят: матрица фоточувствительных элементов из InGaAs, БИС считывания, корпус с термоэлектрическим охладителем. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Спектральная чувствительность, мкм 0,9-1,7 Шаг фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мкм 30 Формат матрицы ФЧЭ 320х256 Максимальная кадровая частота, Гц 200 пассивный Режимы функционирования активно-импульсный 2D; активно-импульсный 3D. Пороговый сигнал в режиме 3D, электрон 250 Временное разрешение (после калибровки), нс 5

В состав модуля входят: матрица фоточувствительных элементов из арсенида индия-галлия, БИС считывания, корпус с термоэлектрическим охладителем, блок сопряжения. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат матрицы фоточувствительных элементов 320x256 Шаг фоточувствительных элементов, мкм 30 Спектральный диапазон, мкм 0,9-1,7 Средняя удельная обнаружительная способность, Вт-1· Гц1/2 ·см 1·1013 Максимальная кадровая частота, Гц 400 Масса г, не более 300

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 150 Рабочее напряжение, В 20 Длительность импульса, нс 100

В состав модуля входят: матричное фотоприемное устройство, итегральная микрокриогенная система Стирлинга и электронный блок сопряжения. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат 320×256 Шаг матрицы, мкм 30 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 3,6-4,9 Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной характеристики, см⋅Гц-1/2⋅Вт-1, не менее 1,3⋅1011 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее 108 Апертура 1:0,9 Время накопления, мкс 0-2000 Максимальная частота кадров, Гц 400 Число сигнальных выводов 4 или 8 Максимальная тактовая частота, МГц 8 Динамический диапазон выходных сигналов, дБ, не менее 60 Масса с блоком сопряжения, г, не более 900

Фотоприемное устройство состоит из p-i-n фотодиода (соединение InGaAs) и гибридно-интегральной схемы предусилителя, расположенных в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Диаметр фоточувствительного элемента, мм 0,2 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 1,0 - 1,6 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее 4·104 Пороговая импульсная чувствительность при длительности входного импульса 5 нс, Вт, не более 5·10-8 Время нарастания выходного импульса, нс, не более 20 Напряжение питания ФПУ, В 9

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 150 Рабочее напряжение, В 20 Длительность импульса, нс 100

Фотоприемное устройство состоит из кремниевого p-i-n фотодиода и гибридно-интегральной схемы предусилителя объединенных металлическим корпусом с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. * - для длительности входных импульсов 100 нс ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Диаметр фоточувствительной площадки, мм 5 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,6 - 1,0 Рабочая длина волны, мкм 0,9 Чувствительность, логическая «1» при мощности, Вт 2·10-6* Рабочее напряжение, В 6,5 - 10,5 Масса, г, не более 15

В состав фотоприемного устройства входят: матричное фотоприемное устройство и микрокриогенная система охлаждения. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат 384 х 288 Шаг элементов, мкм 25 Эквивалентная шуму разность температур (ЭШРТ), мК, не более 35 Время выхода на режим в НКУ, мин., не более 5 Максимальная кадровая частота, Гц, не менее 120 Количество дефектных элементов, не более 0,2% Потребляемая мощность МКС в НКУ, Вт, не более 14

В состав фотоприемного устройства входит восемь фоточувствительных элементов (ФЧЭ) (4 внешних и 4 внутренних) и восемь предварительных усилителей. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество ФЧЭ 8 Диаметр ФЧЭ, мм: - внешних 10 - внутренних 2 Спектральный диапазон, мкм 0,6 – 1,1 Рабочая длина волны, мкм 1,06 Пороговая импульсная чувствительность: - для внешних элементов Вт, не более 1·10-7 - для внутренних элементов Вт, не более 0,6·10-7 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее: - для внешних элементов 1·104 - для внутренних элементов 0,6·104 Разброс вольтовой чувствительности 15 Динамический диапазон выходных сигналов от уровня шума, дБ, не менее - для внешних элементов ФЧЭ 57 - для внутренних элементов ФЧЭ 70 Напряжение питания, В: - ФЧЭ (фотодиодов) 200 - предусилителей 12

В состав фотоприемника ИКФС-3 входит охлаждаемый фоточувствительный элемент на основе КРТ, вакуумный колпак с входным окном, фланец для монтажа. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Габаритные размеры фотоприемника, мм Ø 34×19 Количество ФЧЭ 5 Эффективный размер ФЧЭ, мм 1×1 Рабочая температура, К 80÷90 Спектральный диапазон, мкм ИКФС-3 3,6-5,3 ИКФС-3-01 5,0-8,5 Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной характеристики, см·Гц1/2·Вт-1, не менее ИКФС-3 2,2·1011 ИКФС-3-01 0,6·1011 Токовая чувствительность, А/Вт, не менее ИКФС-3 2,0-3,0 ИКФС-3-01 4,0-5,5 Динамический диапазон, дБ, не менее 84 Неравномерность чувствительности, %, не более 10

В состав модуля входят: матричное фотоприемное устройство, микрокриогенная система охлаждения, электронный блок сопряжения,блок электронной обработки с блоком питания. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат матрицы, элементов 640х512 Шаг элементов матрицы, мкм 15 Спектральная чувствительность, мкм 3,6 – 4,9 Частота кадров, Гц 50 Тип аналогового выходного сигнала ГОСТ 7845-92 Тип цифрового выходного сигнала Camera Link ЭШРТ, мК 25 Пространственное разрешение пар лин. /мм,не менее 33,3 Масса, г, не более 2200

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат матрицы, элементов 640х512 Шаг элементов матрицы, мкм 15 Спектральная чувствительность, мкм 3,6 – 4,9 Частота кадров, Гц 50 Тип аналогового выходного сигнала ГОСТ 7845-92 Тип цифрового выходного сигнала Camera Link ЭШРТ, мК 25 Пространственное разрешение пар лин./мм,не менее 33,3 Масса, г, не более 2200

Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 4 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15

Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 2 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15

Фотоприемное устройство состоит из p-i-n фотодиода (соединение InGaAs) и гибридно-интегральной схемы предусилителя, расположенных в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Диаметр фоточувствительного элемента, мм 0,2 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 1,0 - 1,6 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее 1·105 Время нарастания, нс, не более 22 Минимальная принимаемая энергия, на длине волны 1,54 мкм при длительности входного импульса 20 нс, Дж, не более 1,0·10-16 Минимальная принимаемая энергия, на длине волны 1,064 мкм при длительности входного импульса 20 нс, Дж, не более 1,4·10-16 Время разрешения, нс, не более 300 Напряжение питания, В 12

В состав модуля входят: матричное фотоприемное устройство, микрокриогенная система охлаждения типа интегральный Стирлинг, осуществляющая охлаждение до температуры 82-5 К и электронный блок сопряжения. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат 320×256 Шаг матрицы, мкм 30 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 3 - 5 Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной характеристики, см⋅Гц-1/2⋅Вт-1, не менее 1,3⋅1011 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее 108 Апертура 1:1,8 Время накопления, мкс 0-2000 Максимальная частота кадров, Гц 400 Число сигнальных выводов 4 или 8 Максимальная тактовая частота, МГц 8 Динамический диапазон выходных сигналов, дБ, не менее 60 Масса с блоком сопряжения, г, не более 900