M72 x 1

Двойной внеосевой гид 1.25”. Два гида, каждый из которых идентичен OAG-1, значительно облегчат выбор ведущей звезды.

В состав модуля входят: матрица фоточувствительных элементов из InGaAs, БИС считывания, корпус с термоэлектрическим охладителем. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Спектральная чувствительность, мкм 0,9-1,7 Шаг фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мкм 30 Формат матрицы ФЧЭ 320х256 Максимальная кадровая частота, Гц 200 пассивный Режимы функционирования активно-импульсный 2D; активно-импульсный 3D. Пороговый сигнал в режиме 3D, электрон 250 Временное разрешение (после калибровки), нс 5

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 150 Рабочее напряжение, В 20 Длительность импульса, нс 100

Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 2 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15

В состав фотоприемника ИКФС-3 входит охлаждаемый фоточувствительный элемент на основе КРТ, вакуумный колпак с входным окном, фланец для монтажа. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Габаритные размеры фотоприемника, мм Ø 34×19 Количество ФЧЭ 5 Эффективный размер ФЧЭ, мм 1×1 Рабочая температура, К 80÷90 Спектральный диапазон, мкм ИКФС-3 3,6-5,3 ИКФС-3-01 5,0-8,5 Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной характеристики, см·Гц1/2·Вт-1, не менее ИКФС-3 2,2·1011 ИКФС-3-01 0,6·1011 Токовая чувствительность, А/Вт, не менее ИКФС-3 2,0-3,0 ИКФС-3-01 4,0-5,5 Динамический диапазон, дБ, не менее 84 Неравномерность чувствительности, %, не более 10

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,2 Токовая монохроматическая чувствительность в масимуме, А/Вт, не менее Темновой ток, мкА, не более 7 Рабочее напряжение, В 75 Граничная частота, МГц, не менее 5 Емкость фотодиода, пФ, не более 70

В состав модуля входят: матричное фотоприемное устройство, интегральная микрокриогенная система Стирлинга и электронный блок сопряжения. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат 320x256 Шаг матрицы, мкм 30 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 3 - 5 Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной характеристики, Вт-1· Гц1/2 ·см, не менее 1,3·1011 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее 1·108 Апертура 1:3 или 1:4 Время накопления, мкс 0-2000 Максимальная частота кадров, Гц 400 Число сигнальных выводов 4 или 8 Максимальная тактовая частота, МГц 8 Динамический диапазон выходных сигналов, дБ, не менее. 60 Масса с блоком сопряжения, г, не более 900

В состав модуля входят: матрица фоточувствительных элементов из арсенида индия-галлия, БИС считывания, корпус с термоэлектрическим охладителем, блок сопряжения. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат матрицы фоточувствительных элементов 320x256 Шаг фоточувствительных элементов, мкм 30 Спектральный диапазон, мкм 0,9-1,7 Средняя удельная обнаружительная способность, Вт-1· Гц1/2 ·см 1·1013 Максимальная кадровая частота, Гц 400 Масса г, не более 300

В состав фотоприемного устройства входят: матрица фоточувствительного элемента из нитридов алюминия-галлия гибридизированная с БИС считывания в корпусе с термоэлектрическим охлаждением. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат фоточувствительных элементов 320Х256 Шаг фоточувствительных элементов, мкм 30 Спектральный диапазон, мкм 0,29-0,34 Средняя удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной чувствительности, Вт-1· Гц1/2 ·см 1·1013 Максимальная кадровая частота, Гц 400 Масса г, не более 300

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 150 Рабочее напряжение, В 20 Длительность импульса, нс 100

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5

Двойной внеосевой гид 1.25” с выключаемой диагональю 2”. Это устройство позволит одним движением руки переводить телескоп из фотографического в визуальный и наоборот, ничего не откручивая и не нарушая никаких настроек. Совмещение этих трёх устройств в один узел имеет очень большое значение для экономии места до фокальной плоскости.

В состав модуля входят: матричное фотоприемное устройство, интегральная микрокриогенная система Стирлинга и электронный блок сопряжения. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат 384×288 Шаг элементов матрицы, мкм 28 Диапазон спектральной чувствительности, мк 8 - 11 Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной характеристики, Вт-1· Гц1/2 ·см, не менее 4·1010 Вольтовая чувствительность в максимуме спектральной характеристики, В/Вт, не менее 107 Частота кадров, Гц 50 Время накопления, мкс 0 - 64 Количество выходов 2 Максимальная тактовая частота, МГц 4 Динамический диапазон выходных сигналов, дБ, не менее 60 Масса, г, не более 1400

Диаметр главного зеркала 300 мм Относительное отверстие главного зеркала F/3 Диаметр вторичного зеркала 115 мм Эквивалентное относительное отверстие F/8 Эквивалентное фокусное расстояние 2400 мм Вынос фокальной плоскости за вершину главного зеркала 300 мм Расстояние между зеркалами 573 мм Толщина главного зеркала 35 мм Толщина вторичного зеркала 17 мм Диаметр центрального отверстия в главном зеркале 90 мм Материал зеркал ЛK-7 (Оптическое стекло с низким температурным коэффициентом линейного расширения) По договоренности может быть изготовлена оптика из Ситалла Точность оптики искажения волнового фронта всей системы 1/4λ или меньше, среднеквадратичное отклонение (RMS) 1/25λ или меньше, критерий Штреля 0.95, или больше Покрытия зеркал Al + SiO2 (кварц)

Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 4 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15

Наружная резьба Толщина 9 мм (за исключением длины резьбы)

Учебно-лабораторное оборудование может быть использовано для проведения опытов в химических и физических лабораториях промышленных предприятий.