P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342М
         Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Наименование	Значение
Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ)	1
Диаметр ФЧЭ, мм	14
Диапазон спектральной чувствительности, мкм	0,4 – 1,1
Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее	0,3
Темновой ток, мкА, не более	7
Емкость фотодиода, пФ, не более	90
Рабочее напряжение, В	25
Граничная частота, МГц, не менее	5
    
        Произведено в: Москва