P-I-N ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФД342-02

В состав модуля входят: матрица фоточувствительных элементов из InGaAs, БИС считывания, корпус с термоэлектрическим охладителем. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Спектральная чувствительность, мкм 0,9-1,7 Шаг фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мкм 30 Формат матрицы ФЧЭ 320х256 Максимальная кадровая частота, Гц 200 пассивный Режимы функционирования активно-импульсный 2D; активно-импульсный 3D. Пороговый сигнал в режиме 3D, электрон 250 Временное разрешение (после калибровки), нс 5

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 150 Рабочее напряжение, В 20 Длительность импульса, нс 100

В состав фотоприемного устройства входят: матрица фоточувствительного элемента из нитридов алюминия-галлия гибридизированная с БИС считывания в корпусе с термоэлектрическим охлаждением. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат фоточувствительных элементов 320Х256 Шаг фоточувствительных элементов, мкм 30 Спектральный диапазон, мкм 0,29-0,34 Средняя удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной чувствительности, Вт-1· Гц1/2 ·см 1·1013 Максимальная кадровая частота, Гц 400 Масса г, не более 300

Фотоприемное устройство состоит из p-i-n фотодиода (соединение InGaAs) и гибридно-интегральной схемы предусилителя, расположенных в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Диаметр фоточувствительного элемента, мм 0,2 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 1,0 - 1,6 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее 4·104 Пороговая импульсная чувствительность при длительности входного импульса 5 нс, Вт, не более 5·10-8 Время нарастания выходного импульса, нс, не более 20 Напряжение питания ФПУ, В 9

Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 2 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15

В состав модуля входят: матричное фотоприемное устройство, интегральная микрокриогенная система Стирлинга и электронный блок сопряжения. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат 320x256 Шаг матрицы, мкм 30 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 3 - 5 Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной характеристики, Вт-1· Гц1/2 ·см, не менее 1,3·1011 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее 1·108 Апертура 1:3 или 1:4 Время накопления, мкс 0-2000 Максимальная частота кадров, Гц 400 Число сигнальных выводов 4 или 8 Максимальная тактовая частота, МГц 8 Динамический диапазон выходных сигналов, дБ, не менее. 60 Масса с блоком сопряжения, г, не более 900

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,2 Токовая монохроматическая чувствительность в масимуме, А/Вт, не менее Темновой ток, мкА, не более 7 Рабочее напряжение, В 75 Граничная частота, МГц, не менее 5

В состав фотоприемника ИКФС-3 входит охлаждаемый фоточувствительный элемент на основе КРТ, вакуумный колпак с входным окном, фланец для монтажа. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Габаритные размеры фотоприемника, мм Ø 34×19 Количество ФЧЭ 5 Эффективный размер ФЧЭ, мм 1×1 Рабочая температура, К 80÷90 Спектральный диапазон, мкм ИКФС-3 3,6-5,3 ИКФС-3-01 5,0-8,5 Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной характеристики, см·Гц1/2·Вт-1, не менее ИКФС-3 2,2·1011 ИКФС-3-01 0,6·1011 Токовая чувствительность, А/Вт, не менее ИКФС-3 2,0-3,0 ИКФС-3-01 4,0-5,5 Динамический диапазон, дБ, не менее 84 Неравномерность чувствительности, %, не более 10

В состав фотоприемного устройства входит восемь фоточувствительных элементов (ФЧЭ) (4 внешних и 4 внутренних) и восемь предварительных усилителей. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество ФЧЭ 8 Диаметр ФЧЭ, мм: - внешних 10 - внутренних 2 Спектральный диапазон, мкм 0,6 – 1,1 Рабочая длина волны, мкм 1,06 Пороговая импульсная чувствительность: - для внешних элементов Вт, не более 1·10-7 - для внутренних элементов Вт, не более 0,6·10-7 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее: - для внешних элементов 1·104 - для внутренних элементов 0,6·104 Разброс вольтовой чувствительности 15 Динамический диапазон выходных сигналов от уровня шума, дБ, не менее - для внешних элементов ФЧЭ 57 - для внутренних элементов ФЧЭ 70 Напряжение питания, В: - ФЧЭ (фотодиодов) 200 - предусилителей 12

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 150 Рабочее напряжение, В 20 Длительность импульса, нс 100

В состав модуля входят: матричное фотоприемное устройство, микрокриогенная система охлаждения типа интегральный Стирлинг, осуществляющая охлаждение до температуры 82-5 К и электронный блок сопряжения. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат 320×256 Шаг матрицы, мкм 30 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 3 - 5 Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной характеристики, см⋅Гц-1/2⋅Вт-1, не менее 1,3⋅1011 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее 108 Апертура 1:1,8 Время накопления, мкс 0-2000 Максимальная частота кадров, Гц 400 Число сигнальных выводов 4 или 8 Максимальная тактовая частота, МГц 8 Динамический диапазон выходных сигналов, дБ, не менее 60 Масса с блоком сопряжения, г, не более 900

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество ФЧЭ 8 Диаметр ФЧЭ, мм: - внешних 10 - внутренних 2 Спектральный диапазон, мкм 0,6 – 1,1 Рабочая длина волны, мкм 1,06 Пороговая импульсная чувствительность: - для внешних элементов Вт, не более 1·10-7 - для внутренних элементов Вт, не более 0,6·10-7 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее: - для внешних элементов 1·104 - для внутренних элементов 0,9·104 Разброс вольтовой чувствительности 15 Динамический диапазон выходных сигналов от уровня шума, дБ, не менее - для внешних элементов ФЧЭ 57 - для внутренних элементов ФЧЭ 70 Напряжение питания, В: - ФЧЭ (фотодиодов) 200 - предусилителей 12

В состав ФПУ входят: фоточувствительный элемент (ФЧЭ) на основе фотодиода из полупроводникового материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ), вакуумный криостатируемый корпус, микрокриогенная система охлаждения (МКС), блок усиления сигнала. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 0,2 Максимум спектральной характеристики, мкм 10,6 Пороговая чувствительность на длине волны 10,6 мкм, Вт·Гц-1/2, не более 1·10-19 Диапазон граничных частот, МГц 2-51 Интегральное среднеквадратичное напряжение шума в рабочем диапазоне частот, мВ 0,25 Динамический диапазон, дБ, не менее 60 Время выхода на рабочий режим, мин, не более 5 Масса, кг, не более 0,7 Рабочая температура ФЧЭ, К 80 Охлаждение ФЧЭ до температуры 80 К осуществляется микрокриогенной системой типа интегральный Стирлинг

В состав модуля входят: матрица фоточувствительных элементов из арсенида индия-галлия, БИС считывания, корпус с термоэлектрическим охладителем, блок сопряжения. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат матрицы фоточувствительных элементов 320x256 Шаг фоточувствительных элементов, мкм 30 Спектральный диапазон, мкм 0,9-1,7 Средняя удельная обнаружительная способность, Вт-1· Гц1/2 ·см 1·1013 Максимальная кадровая частота, Гц 400 Масса г, не более 300

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5