Каталог
Вернуться к результатам поиска
МИК-ЭН 300-С4Д28-8
Вернуться к результатам поиска
МИК-ЭН 300-С4Д28-8
Технические характеристики:
Измеряемое входное напряжение, В до 350
Количество каналов нагрузки 11
Количество каналов с 3-мя уровня нагрузки 8
Количество каналов с 1-им уровнем нагрузки 1
Максимальная мощность нагрузки канала, Вт 100
Максимальная мощность нагрузки 2-х маломощных каналов, В 10
Измеряемое напряжение нагрузки, В до 33
Измеряемый ток нагрузки, А до 8
Измеряемый входной ток, А до 3
Регулируемая скважность импульсного режима нагрузки от 4 до 50
Питание электронной нагрузки:
mini USB
Адаптер 12 В
Да
Да
Индикация номинальной работы, сигнал PGOOD Да
Генерируемый регулируемый по частоте сигнал синхронизации Да
Сигнал отключения нагрузки ON/OFF Да
Подключение к ПК:
Переходник RS232-USB
USB
Да
Да
Подключение отладочной платы JTAG Да
Регулируемая длительность импульса нагрузки, мкс от 10 до 3 000
Таймер работы канала нагрузки Да
Режим измерения КПД опционально
Режим имитации короткого замыкания опционально
Режим нагрузки:
Постоянный
Импульсный
Да
Да
Измерение гальванически развязанных входного тока и напряжения Да
Комплект соединительных жгутов опционально
Конструктивное исполнение бескорпусное
Габариты, мм 270 × 150 ×
Измеряемое входное напряжение, В до 350
Количество каналов нагрузки 11
Количество каналов с 3-мя уровня нагрузки 8
Количество каналов с 1-им уровнем нагрузки 1
Максимальная мощность нагрузки канала, Вт 100
Максимальная мощность нагрузки 2-х маломощных каналов, В 10
Измеряемое напряжение нагрузки, В до 33
Измеряемый ток нагрузки, А до 8
Измеряемый входной ток, А до 3
Регулируемая скважность импульсного режима нагрузки от 4 до 50
Питание электронной нагрузки:
mini USB
Адаптер 12 В
Да
Да
Индикация номинальной работы, сигнал PGOOD Да
Генерируемый регулируемый по частоте сигнал синхронизации Да
Сигнал отключения нагрузки ON/OFF Да
Подключение к ПК:
Переходник RS232-USB
USB
Да
Да
Подключение отладочной платы JTAG Да
Регулируемая длительность импульса нагрузки, мкс от 10 до 3 000
Таймер работы канала нагрузки Да
Режим измерения КПД опционально
Режим имитации короткого замыкания опционально
Режим нагрузки:
Постоянный
Импульсный
Да
Да
Измерение гальванически развязанных входного тока и напряжения Да
Комплект соединительных жгутов опционально
Конструктивное исполнение бескорпусное
Габариты, мм 270 × 150 ×
5-канальный источник питания с 3-мя каналами импульсной нагрузки МИК-ИП 27-С2Д8-3
Технические характеристики:
Входное напряжение, В
24…30
Количество каналов статической нагрузки
2
Характеристики каналов статической нагрузки
1) +12 В, 0,05 А
2) −6 В, 0,15 А
Характеристики 2-х каналов импульсной нагрузки:
Напряжение, В
Импульсный ток, А
Минимальная скважность импульса
+8
10
2
Характеристики 3-го канала импульсной нагрузки:
Напряжение, В
Импульсный ток, А
Минимальная скважность импульса
+6
5,5
2
Гальваническая развязка Нет
Защита от переполюсовки входного напряжения Да
Защита от короткого замыкания выходных каналов Да
Входной фильтр ЭМП Да
Подавление ЭМП, дБ 20…40
Конструктивное исполнение корпусное
Габариты, мм 153 × 88 × 24
Микран
Томск
Произведено в: Томск
2-канальный источник питания авиационной бортовой сети МИК-ИПГ 27-С2Д27
Технические характеристики
Входное напряжение, В 22…30
Количество каналов статической нагрузки 2
Характеристики каналов статической нагрузки 1) +27 В, 1 А
2) +12 В, 5,5 А
Наличие внешней синхронизации Да
Наличие внешнего сигнала блокировки ON/OFF Да
Защита от переполюсовки входного напряжения Да
Защита от короткого замыкания выходных каналов Да
Молниезащита Да
Гальваническая развязка Да
Электрическая прочность изоляции, В 1 500
Рабочий температурный диапазон, °С −55…+100
Конструктивное исполнение корпусное
Модуль герметичен Да
Габариты, мм 187 × 54 × 30
Микран
Томск
Произведено в: Томск
3-канальный источник питания аэрокосмического исполнения МИК-ИПГ 27-С3Д8А-Р1
Технические характеристики:
Входное напряжение, В 22…32
Количество каналов статической нагрузки 3
Характеристики каналов статической нагрузки 1) +8 В, 1 А
2) +5 В, 1,5 А
3) −5 В, 1 А
Транслируемый канал питания:
Напряжение, В
Ток, А
22…32
2,5
Предохранитель самовосстанавливающийся входного питания, А 2,5
Гальваническая развязка Да
Электрическая прочность изоляции, В 1 500
Радиационно стойкие электронные компоненты Да
Величина воздействия радиационного излучения, крад до 300
Конструктивное исполнение корпусное
Габариты, мм 160 × 100 × 25
Масса, гр 280
Микран
Томск
Произведено в: Томск
МИК-ФИ 220-С1Д220
Технические характеристики:
Исполнения по допустимой мощности, Вт 500 1000
Входное напряжение, В 0…330 0…330
Подавление синфазных помех на частотах, дБ:
0,15 МГц
0,3 МГц
0,5 МГц
1 МГц
3 МГц
5 МГц
10 МГц
23
37
47
60
63
61
59
30
40
45
50
55
54
50
Подавление дифференциальных помех на частотах, дБ:
0,15 МГц
0,3 МГц
0,5 МГц
1 МГц
3 МГц
5 МГц
10 МГц
30 МГц
16
21
30
35
22
16
6
13
9
12
16
20
15
10
9
11
Максимальный ток, А 1,7 3,6
Защита от кратковременного воздействия повышенного напряжения
Да
Предохранитель плавкий
Ток срабатывания, А
Да
5 ± 1
Возможность установки дополнительных буферных конденсаторов
Да
Конструктивное исполнение
бескорпусное
Габариты, мм
80
Микран
Томск
Произведено в: Томск
8-канальный источник питания ПЛИС и микропроцессорных систем МИК-ИП 12-С7Д6-Р1
Технические характеристики:
Входное напряжение, В 8…15
Количество каналов статической нагрузки 7
Характеристики каналов статической нагрузки 1) +6 В, 4 А
2) +5 В, 4 А
3) -6 В, 0,05 А
4) +3,3 В, 4 А
5) +2,5 В, 4 А
6) +1,8 В, 4 А
7) +1,2 В, 4 А
Гальваническая развязка Нет
Работа от внутренней и внешней синхронизации Да
Защита от короткого замыкания выходных каналов Да
Трансляция внешнего сигнала синхронизации на выходной разъем Да
Транслируемый канал питания:
Напряжение, В
Ток, А
0…150
0…3
Молниезащита входных цепей Да
Рабочий температурный диапазон, °С −55…+100
Конструктивное исполнение бескорпусное
Габариты, мм 160 × 45 × 8
Микран
Томск
Произведено в: Томск
Малогабаритный 4-канальный источник питания с каналом импульсной нагрузки МИК-ИПГ 300-С3Д9-1
Технические характеристики
Входное напряжение, В 270…330
Количество каналов статической нагрузки 3
Характеристики каналов статической нагрузки 1) +3,3 В, 0,5 А
2) +5 В, 1,5 А
3) −5 В, 0,7 А
Количество каналов динамической нагрузки 1
Характеристики канала динамической нагрузки:
Напряжение, В
Импульсный ток, А
Минимальная скважность импульса
+9
21
7
Гальваническая развязка Да
Электрическая прочность изоляции, В 1 500
Работа только от внешней синхронизации Да
Конструктивное исполнение бескорпусное
Габариты, мм 67 × 63 × 9
Микран
Томск
Произведено в: Томск
12-канальный источник питания с 8-ю каналами импульсной нагрузки МИК-ИПГ 300-С4Д28-8
Технические характеристики
Входное напряжение, В 270…330
Количество каналов статической нагрузки 4
Характеристики каналов статической нагрузки 1) +12 В, 1 А
2) +5 В, 4,5 А
3) −6 В, 1 А
4) −55 В, 0,01 А
Количество каналов динамической нагрузки 8
Характеристики каналов динамической нагрузки:
Напряжение, В
Импульсный ток, А
Минимальная скважность импульса
+28
6
1,1
Наличие внешней синхронизации Да
Наличие внешнего сигнала ON/OFF Да
Защита от переполюсовки входного напряжения Да
Защита от короткого замыкания выходных каналов Да
Защита от повышенного/пониженного входного напряжения Да
Наличие сигнала исправности каждого динамического канала Да
Гальваническая развязка Да
Электрическая прочность изоляции, В 1 500
Конструктивное исполнение бескорпусное
Габариты, мм 268 × 153 × 11
Микран
Томск
Произведено в: Томск
Р1-12 Чип-резисторы толстопленочные общего применения
Чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения защищенного варианта исполнения, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов и в импульсном режиме для ручного и автоматизированного монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
564ИП6 ЭП 9 – разрядный контроллер четности.
Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-35 ТУ.
Предназначены для применения в радиоэлектронной
аппаратуре специального назначения.
Основные характеристики:
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В.
Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В.
Диапазон рабочих температур от -60 °С до +125 °С.
Время задержки распространения сигнала при включении и выключении (от информационных входов
к выходам) ≤ 700 нс при UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C.
Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В.
Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус,
7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02х1Ус
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
765ЛН1 6-логических элементов "НЕ" с блокировкой и запретом
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
ПР1-22 Поглотители резистивные малой мощности
Предназначены для ослабления мощности сигналов в цепях постоянного и переменного токов.
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
564ИП4 ЭП Схема сквозного переноса
Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-05 ТУ.
Предназначены для применения в радиоэлектронной
аппаратуре специального назначения.
Основные характеристики:
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В.
Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В.
Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С.
Время задержки распространения сигнала при включении и выключении ≤ 700 нс при
UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL= 50 пФ, T = 25 °C.
Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В.
Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус,
7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02х1Ус
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
Высокочастотный p-n-p транзистор малой мощности 2Т313 А-2/ЭП 2Т313 Б-2/ЭП
Корпус
КТ-1
Технические условия
АЕЯР.432140.343 ТУ
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
5-канальный источник питания с 3-мя каналами импульсной нагрузки МИК-ИП 27-С2Д8-3
Технические характеристики:
Входное напряжение, В
24…30
Количество каналов статической нагрузки
2
Характеристики каналов статической нагрузки
1) +12 В, 0,05 А
2) −6 В, 0,15 А
Характеристики 2-х каналов импульсной нагрузки:
Напряжение, В
Импульсный ток, А
Минимальная скважность импульса
+8
10
2
Характеристики 3-го канала импульсной нагрузки:
Напряжение, В
Импульсный ток, А
Минимальная скважность импульса
+6
5,5
2
Гальваническая развязка Нет
Защита от переполюсовки входного напряжения Да
Защита от короткого замыкания выходных каналов Да
Входной фильтр ЭМП Да
Подавление ЭМП, дБ 20…40
Конструктивное исполнение корпусное
Габариты, мм 153 × 88 × 24
Микран
Томск
Произведено в: Томск
564РП1В Буферное ЗУ (емкостью 4 х 8 бит).
Технические условия исполнения бК0.347.064-33ТУ/02.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Основные характеристики:
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В.
Предельное напряжение питания до 18,0 В.
Номинальный диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С.
Время задержки распространения сигнала (от входа «Сквозная передача»
до информационных выходов):
≤ 750 нс при UСС = 5,0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C,
≤ 300 нс при UСС = 10,0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C.
Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C.
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C.
Показатели стойкости к воздействию спецфакторов:
И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У.
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
765РП1 (2) Буферное ЗУ (емкостью 4х8 бит)
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
ИРТП3-Д
Трубка рентгеновская ИРТП3-Д импульсная, малогабаритная, с холодным катодом, без защиты от неиспользованного рентгеновского излучения, предназначена для медицинской рентгеновской диагностики больных в стационарных и нестационарных условиях и промышленном просвечивании материалов.
Малые габаритные размеры трубки и вес позволяют разработать импульсный рентгеновский аппарат с чрезвычайно малым весом и габаритами с питанием от сети переменного тока 220 В 50Гц и от аккумулятора 24 В. Последнее обстоятельство делает возможным использовать прибор в труднодоступных местах и, в частности, районах Крайнего Севера.
Технические данные:
1. Эффективная энергия рентгеновского излучения – 100-150 КэВ.
2. Диаметр фокусного пятна – 1,5 мм.
3. Максимальная частота следования импульсов – 100 Гц.
4. Импеданс трубки – менее 100 Ом.
5. Емкость, разряжаемая через трубку – не более 30 пФ.
6. Минимальная наработка – 106 имп.
ПЛАЗМА
Рязань
Произведено в: Рязань
Р1-16 Чип-резисторы прецизионные тонкопленочные
Р1-16 - прецизионные постоянные непроволочные резисторы, предназначены для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов для монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы. Резисторы Р1-16 выпускаются в незащищенном варианте исполнения
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
МНОГОКАНАЛЬНОЕ ФОТОПРИЁМНОЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФУР124М-02
В состав фотоприемного устройства входит восемь фоточувствительных элементов (ФЧЭ) (4 внешних и 4 внутренних) и восемь предварительных усилителей.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Наименование Значение
Количество ФЧЭ 8
Диаметр ФЧЭ, мм:
- внешних 10
- внутренних 2
Спектральный диапазон, мкм 0,6 – 1,1
Рабочая длина волны, мкм 1,06
Пороговая импульсная чувствительность:
- для внешних элементов Вт, не более 1·10-7
- для внутренних элементов Вт, не более 0,6·10-7
Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее:
- для внешних элементов 1·104
- для внутренних элементов 0,6·104
Разброс вольтовой чувствительности 15
Динамический диапазон выходных сигналов от уровня шума, дБ, не менее
- для внешних элементов ФЧЭ 57
- для внутренних элементов ФЧЭ 70
Напряжение питания, В:
- ФЧЭ (фотодиодов) 200
- предусилителей 12
Орион
Москва
Произведено в: Москва
Р1-12 Чип-резисторы толстопленочные общего применения
Р1-12 - чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения защищенного варианта исполнения, предназначены для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов и в импульсном режиме для монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.
Резисторы изготавливают в едином исполнении пригодном как для ручной так и для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры.
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
Р1-8М Чип-резисторы постоянные непроволочные прецизионные
Чип-резисторы тонкопленочные, незащищенного варианта исполнения, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов для ручного и автоматизированного монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
Тиратрон ТГИ1-10000/25
Тиратроны работают при частоте повторения импульсов до
50000 имп/с при условии снижения импульсной и средней мощности.
Напряжение анода, кВ 25
Напряжение анода обратное, кВ 3.0
Ток анода в импульсе, А 10000
Ток анода средний, А 0.19
Длительность импульса тока анода, мкс 0.1 – 0.35
Крутизна фронта импульса тока анода, А/с 1011
Частота повторения импульсов, имп./с 100
Время разогрева, мин 10
Ток накала, А 20.5
Габариты ØхH, мм 100x150.
ПЛАЗМА
Рязань
Произведено в: Рязань
Р1-155 (MELF) Резисторы постоянные непроволочные безвыводные
Резисторы постоянные непроволочные безвыводные, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного, переменного и импульсного токов.
Резисторы изготавливают в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры.
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
765РУ2А Оперативное запоминающее устройство (статическое)
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область