Каталог
Вернуться к результатам поиска
564ИЕ14 ЭП Двоично / двоичнодесятичный 4- разрядный реверсивный счетчик с предварительной установкой
Вернуться к результатам поиска
564ИЕ14 ЭП Двоично / двоичнодесятичный 4- разрядный реверсивный счетчик с предварительной установкой
Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-16 ТУ.
Предназначены для применения в радиоэлектронной
аппаратуре специального назначения.
Основные характеристики:
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В.
Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В.
Диапазон рабочих температур от -60 °С до +125 °С.
Время задержки распространения сигнала при включении и выключении (от тактового входа к выходу
разряда) ≤ 880 нс при UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C.
Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25°C.
Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В.
Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус,
7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02 х 1Ус
Предназначены для применения в радиоэлектронной
аппаратуре специального назначения.
Основные характеристики:
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В.
Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В.
Диапазон рабочих температур от -60 °С до +125 °С.
Время задержки распространения сигнала при включении и выключении (от тактового входа к выходу
разряда) ≤ 880 нс при UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C.
Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25°C.
Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В.
Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус,
7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02 х 1Ус
564ИЕ11 ЭП 4-х разрядный двоичный реверсивный счетчик
Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-03 ТУ.
Предназначены для применения в радиоэлектронной
аппаратуре специального назначения.
Основные характеристики:
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В.
Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В.
Диапазон рабочих температур от -60°С до +125°С.
Время задержки распространения сигнала при включении и выключении (от тактового входа к
параллельному выходу), ≤ 830 нс при UCC = 5,0 B, UIL = 0 В, UIH = 5,0 В, CL = 50 pF, T = 25 °C.
Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В.
Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус,
7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02 х 1Ус.
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
4-х разрядный двоичный реверсивный счетчик 564ИЕ11В
Технические условия исполнения бК0.347.064 ТУ3/02.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Основные характеристики:
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В.
Предельное напряжение питания до 18,0 В.
Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С.
Время задержки распространения сигнала от тактового входа к
параллельному выходу ≤ 300 нс при UCC = 10 B, CL = 50 pF, T = 25 °C.
Ток потребления ≤ 10,0 мкА при UCC = 10 В, T = 25 °C.
Выходной ток низкого уровня ≥ 1,0 мА при UCC = 10 B, UO = 0,5 В, T = 25 °C.
Выходной ток высокого уровня ≥ /-1,0/ мА при UCC = 10 B, UO = 9,5В, T = 25 °C.
Показатели стойкости к воздействию спецфакторов:
И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У.
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
Р1-12 Чип-резисторы толстопленочные общего применения
Чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения защищенного варианта исполнения, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов и в импульсном режиме для ручного и автоматизированного монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
564ИП6 ЭП 9 – разрядный контроллер четности.
Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-35 ТУ.
Предназначены для применения в радиоэлектронной
аппаратуре специального назначения.
Основные характеристики:
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В.
Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В.
Диапазон рабочих температур от -60 °С до +125 °С.
Время задержки распространения сигнала при включении и выключении (от информационных входов
к выходам) ≤ 700 нс при UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C.
Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В.
Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус,
7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02х1Ус
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
765ЛН1 6-логических элементов "НЕ" с блокировкой и запретом
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
ПР1-22 Поглотители резистивные малой мощности
Предназначены для ослабления мощности сигналов в цепях постоянного и переменного токов.
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
564ИП4 ЭП Схема сквозного переноса
Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-05 ТУ.
Предназначены для применения в радиоэлектронной
аппаратуре специального назначения.
Основные характеристики:
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В.
Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В.
Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С.
Время задержки распространения сигнала при включении и выключении ≤ 700 нс при
UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL= 50 пФ, T = 25 °C.
Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C.
Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В.
Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус,
7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02х1Ус
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
Высокочастотный p-n-p транзистор малой мощности 2Т313 А-2/ЭП 2Т313 Б-2/ЭП
Корпус
КТ-1
Технические условия
АЕЯР.432140.343 ТУ
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
564РП1В Буферное ЗУ (емкостью 4 х 8 бит).
Технические условия исполнения бК0.347.064-33ТУ/02.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Основные характеристики:
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В.
Предельное напряжение питания до 18,0 В.
Номинальный диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С.
Время задержки распространения сигнала (от входа «Сквозная передача»
до информационных выходов):
≤ 750 нс при UСС = 5,0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C,
≤ 300 нс при UСС = 10,0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C.
Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C.
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C.
Показатели стойкости к воздействию спецфакторов:
И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У.
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
765РП1 (2) Буферное ЗУ (емкостью 4х8 бит)
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
ИРТП3-Д
Трубка рентгеновская ИРТП3-Д импульсная, малогабаритная, с холодным катодом, без защиты от неиспользованного рентгеновского излучения, предназначена для медицинской рентгеновской диагностики больных в стационарных и нестационарных условиях и промышленном просвечивании материалов.
Малые габаритные размеры трубки и вес позволяют разработать импульсный рентгеновский аппарат с чрезвычайно малым весом и габаритами с питанием от сети переменного тока 220 В 50Гц и от аккумулятора 24 В. Последнее обстоятельство делает возможным использовать прибор в труднодоступных местах и, в частности, районах Крайнего Севера.
Технические данные:
1. Эффективная энергия рентгеновского излучения – 100-150 КэВ.
2. Диаметр фокусного пятна – 1,5 мм.
3. Максимальная частота следования импульсов – 100 Гц.
4. Импеданс трубки – менее 100 Ом.
5. Емкость, разряжаемая через трубку – не более 30 пФ.
6. Минимальная наработка – 106 имп.
ПЛАЗМА
Рязань
Произведено в: Рязань
Р1-16 Чип-резисторы прецизионные тонкопленочные
Р1-16 - прецизионные постоянные непроволочные резисторы, предназначены для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов для монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы. Резисторы Р1-16 выпускаются в незащищенном варианте исполнения
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
МНОГОКАНАЛЬНОЕ ФОТОПРИЁМНОЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ФУР124М-02
В состав фотоприемного устройства входит восемь фоточувствительных элементов (ФЧЭ) (4 внешних и 4 внутренних) и восемь предварительных усилителей.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Наименование Значение
Количество ФЧЭ 8
Диаметр ФЧЭ, мм:
- внешних 10
- внутренних 2
Спектральный диапазон, мкм 0,6 – 1,1
Рабочая длина волны, мкм 1,06
Пороговая импульсная чувствительность:
- для внешних элементов Вт, не более 1·10-7
- для внутренних элементов Вт, не более 0,6·10-7
Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее:
- для внешних элементов 1·104
- для внутренних элементов 0,6·104
Разброс вольтовой чувствительности 15
Динамический диапазон выходных сигналов от уровня шума, дБ, не менее
- для внешних элементов ФЧЭ 57
- для внутренних элементов ФЧЭ 70
Напряжение питания, В:
- ФЧЭ (фотодиодов) 200
- предусилителей 12
Орион
Москва
Произведено в: Москва
Р1-12 Чип-резисторы толстопленочные общего применения
Р1-12 - чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения защищенного варианта исполнения, предназначены для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов и в импульсном режиме для монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.
Резисторы изготавливают в едином исполнении пригодном как для ручной так и для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры.
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
Р1-8М Чип-резисторы постоянные непроволочные прецизионные
Чип-резисторы тонкопленочные, незащищенного варианта исполнения, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов для ручного и автоматизированного монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
Тиратрон ТГИ1-10000/25
Тиратроны работают при частоте повторения импульсов до
50000 имп/с при условии снижения импульсной и средней мощности.
Напряжение анода, кВ 25
Напряжение анода обратное, кВ 3.0
Ток анода в импульсе, А 10000
Ток анода средний, А 0.19
Длительность импульса тока анода, мкс 0.1 – 0.35
Крутизна фронта импульса тока анода, А/с 1011
Частота повторения импульсов, имп./с 100
Время разогрева, мин 10
Ток накала, А 20.5
Габариты ØхH, мм 100x150.
ПЛАЗМА
Рязань
Произведено в: Рязань
Р1-155 (MELF) Резисторы постоянные непроволочные безвыводные
Резисторы постоянные непроволочные безвыводные, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного, переменного и импульсного токов.
Резисторы изготавливают в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры.
ЭРКОН
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
765РУ2А Оперативное запоминающее устройство (статическое)
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
ВЫПРЯМИТЕЛИ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ KD-XXXYZ и KDXXYYYZ
Диоды Шоттки (кристаллы на 6-дюймовых пластинах), низкий ИК-излучение.
ВЗПП-Микрон
Воронеж
Произведено в: Воронеж