Р1-33 Чип-резисторы высокоомные

Конденсаторы танталовые оксидно-полупроводниковые защищенные полярные постоянной емкости. Предназначены для работы в качестве встроенных элементов внутри комплектных изделий в цепях постоянного, пульсирующего токов и в импульсных режимах.

Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-35 ТУ. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания от - 0,5 В до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от - 60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении (выключении) от тактового входа к параллельным выходам: ≤ 840 нс при UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C. Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В. Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус, 7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02 х 1Ус.

В состав модуля входят: матрица фоточувствительных элементов из InGaAs, БИС считывания, корпус с термоэлектрическим охладителем. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Спектральная чувствительность, мкм 0,9-1,7 Шаг фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мкм 30 Формат матрицы ФЧЭ 320х256 Максимальная кадровая частота, Гц 200 пассивный Режимы функционирования активно-импульсный 2D; активно-импульсный 3D. Пороговый сигнал в режиме 3D, электрон 250 Временное разрешение (после калибровки), нс 5

Резисторы постоянные непроволочные мощные, предназначенные для работы с теплоотводом в электрических цепях постоянного, переменного и импульсного токов.

АО «НИИ «Феррит-Домен» разрабатывает и производит все виды микроволновых материалов (феррогранаты, феррошпинели, поглощающие ферриты, гексаферриты, керамику), используемых в волноводных, коаксиальных, полосковых и других СВЧ устройствах. Разнообразие их свойств позволяет конструировать микроволновые приборы и компоненты в очень широких диапазонах частот (от десятков мегагерц до сотен гигагерц) и температур (от 4.2 до 500 К). Максимальные размеры изделий из гексаферритов, мм D L B h Диски 45 4 Пластины 40 35 4

Прецизионные чип-резисторы незащищенного варианта исполнения, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов для ручного и автоматизированного монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.

Технические условия исполнения бК0.347.064 ТУ4/02. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Выходной ток низкого уровня ≥ 1,0 мА при UCC = 10,0 B; UO = 0,5 B. Выходной ток высокого уровня ≥ /-1,0/ мА при UCC = 10,0 B; UO = 9,5 B. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У

Восьми канальный мультиплексор. Технология – КМОП. Технические условия исполнения бК0.347.064ТУ6/02. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении и выключении (от входов управления к выходу ключа) ≤ 720 нс при UСС = 5,0 В, CL = 50 пФ, RL = 10 кОм, T = 25 °C. Падение напряжения на открытом ключе ≤ 600 мВ при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, RL = 10 кОм, T = 25 °C. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У.

Р1-34 - резисторы постоянные непроволочные высокоомные изолированного варианта исполнения, предназначены для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов.

Р1-81 – прецизионные чип-резисторы защищенного варианта исполнения, предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного токов и в импульсном режиме. Резисторы изготавливают в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры. Резисторы с номинальным сопротивлением от 25 до 150 Ом являются сверхвысокочастотными.

Технические условия исполнения бК0.347.064ТУ20. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Время задержки распространения сигнала управления ≤ 125 нс при UCC1 = 5 В, UCC2 = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Время задержки распространения сигнала ≤ 30 нс при UCC1 = 5 В, UCC2 = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед., К1 по 1У.

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 150 Рабочее напряжение, В 20 Длительность импульса, нс 100

НР1-77 – наборы резисторов постоянных непроволочных высокоомные прецизионные, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов. Наборы резисторов НР1-77 изготавливают в едином исполнении, предназначенном для ручной сборки аппаратуры.