Р1-16 Чип-резисторы прецизионные тонкопленочные

Чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения защищенного варианта исполнения, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов и в импульсном режиме для ручного и автоматизированного монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.

Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-35 ТУ. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до +125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении и выключении (от информационных входов к выходам) ≤ 700 нс при UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C. Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В. Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус, 7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02х1Ус

Предназначены для ослабления мощности сигналов в цепях постоянного и переменного токов.

Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-05 ТУ. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении и выключении ≤ 700 нс при UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL= 50 пФ, T = 25 °C. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C. Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В. Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус, 7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02х1Ус

Корпус КТ-1 Технические условия АЕЯР.432140.343 ТУ

Технические условия исполнения бК0.347.064-33ТУ/02. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Номинальный диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала (от входа «Сквозная передача» до информационных выходов): ≤ 750 нс при UСС = 5,0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C, ≤ 300 нс при UСС = 10,0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У.

Трубка рентгеновская ИРТП3-Д импульсная, малогабаритная, с холодным катодом, без защиты от неиспользованного рентгеновского излучения, предназначена для медицинской рентгеновской диагностики больных в стационарных и нестационарных условиях и промышленном просвечивании материалов. Малые габаритные размеры трубки и вес позволяют разработать импульсный рентгеновский аппарат с чрезвычайно малым весом и габаритами с питанием от сети переменного тока 220 В 50Гц и от аккумулятора 24 В. Последнее обстоятельство делает возможным использовать прибор в труднодоступных местах и, в частности, районах Крайнего Севера. Технические данные: 1. Эффективная энергия рентгеновского излучения – 100-150 КэВ. 2. Диаметр фокусного пятна – 1,5 мм. 3. Максимальная частота следования импульсов – 100 Гц. 4. Импеданс трубки – менее 100 Ом. 5. Емкость, разряжаемая через трубку – не более 30 пФ. 6. Минимальная наработка – 106 имп.

В состав фотоприемного устройства входит восемь фоточувствительных элементов (ФЧЭ) (4 внешних и 4 внутренних) и восемь предварительных усилителей. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество ФЧЭ 8 Диаметр ФЧЭ, мм: - внешних 10 - внутренних 2 Спектральный диапазон, мкм 0,6 – 1,1 Рабочая длина волны, мкм 1,06 Пороговая импульсная чувствительность: - для внешних элементов Вт, не более 1·10-7 - для внутренних элементов Вт, не более 0,6·10-7 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее: - для внешних элементов 1·104 - для внутренних элементов 0,6·104 Разброс вольтовой чувствительности 15 Динамический диапазон выходных сигналов от уровня шума, дБ, не менее - для внешних элементов ФЧЭ 57 - для внутренних элементов ФЧЭ 70 Напряжение питания, В: - ФЧЭ (фотодиодов) 200 - предусилителей 12

Р1-12 - чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения защищенного варианта исполнения, предназначены для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов и в импульсном режиме для монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы. Резисторы изготавливают в едином исполнении пригодном как для ручной так и для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры.

Чип-резисторы тонкопленочные, незащищенного варианта исполнения, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов для ручного и автоматизированного монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.

Тиратроны работают при частоте повторения импульсов до 50000 имп/с при условии снижения импульсной и средней мощности. Напряжение анода, кВ 25 Напряжение анода обратное, кВ 3.0 Ток анода в импульсе, А 10000 Ток анода средний, А 0.19 Длительность импульса тока анода, мкс 0.1 – 0.35 Крутизна фронта импульса тока анода, А/с 1011 Частота повторения импульсов, имп./с 100 Время разогрева, мин 10 Ток накала, А 20.5 Габариты ØхH, мм 100x150.

Резисторы постоянные непроволочные безвыводные, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного, переменного и импульсного токов. Резисторы изготавливают в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры.

Диоды Шоттки (кристаллы на 6-дюймовых пластинах), низкий ИК-излучение.