Монокристаллы Ge

Чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения защищенного варианта исполнения, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов и в импульсном режиме для ручного и автоматизированного монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.

Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-35 ТУ. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до +125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении и выключении (от информационных входов к выходам) ≤ 700 нс при UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C. Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В. Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус, 7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02х1Ус

VIS диапазон – 0,4 - 0,7 мкм.

Предназначены для ослабления мощности сигналов в цепях постоянного и переменного токов.

Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-05 ТУ. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении и выключении ≤ 700 нс при UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL= 50 пФ, T = 25 °C. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C. Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В. Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус, 7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02х1Ус

Диаметр главного зеркала 360 мм Относительное отверстие главного зеркала F/3 Диаметр вторичного зеркала 140 мм Эквивалентное относительное отверстие F/8 Эквивалентное фокусное расстояние 2880 мм Вынос фокальной плоскости за вершину главного зеркала 307 мм Расстояние между зеркалами 702 мм Толщина главного зеркала 45 мм Толщина вторичного зеркала 20 мм Диаметр центрального отверстия в главном зеркале 120 мм Материал зеркал ЛK-7 (Оптическое стекло с низким температурным коэффициентом линейного расширения) По договоренности может быть изготовлена оптика из Ситалла Точность оптики искажения волнового фронта всей системы 1/4λ или меньше, среднеквадратичное отклонение (RMS) 1/25λ или меньше, критерий Штреля 0.95, или больше Покрытия зеркал Al + SiO2 (кварц)

LWIR - 8-12 мкм — наиболее распространенный тип тепловизоров. Работают в диапазоне обычных температур и находят широкое применение в системах наблюдения, медицинских и биометрических тепловизорах. Применяются для дистанционного обнаружения пожара, в спутниковом мониторинге профиля погоды, мониторинге загрязнения воздуха и картировании обезлесения.

Корпус КТ-1 Технические условия АЕЯР.432140.343 ТУ

Технические условия исполнения бК0.347.064-33ТУ/02. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Номинальный диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала (от входа «Сквозная передача» до информационных выходов): ≤ 750 нс при UСС = 5,0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C, ≤ 300 нс при UСС = 10,0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У.

MWIR диапазон - 3-5 мкм. Области применения разнообразны: проверка процесса охлаждения производства стекла, измерение температуры на мусоросжигательных заводах, мониторинг процесса пайки в производстве электроники и т.д. Обеспечивая почти дифракционные характеристики, эти объективы подходят для применений в инфракрасной спектроскопии Фурье и тепловизионной микроскопии.

Трубка рентгеновская ИРТП3-Д импульсная, малогабаритная, с холодным катодом, без защиты от неиспользованного рентгеновского излучения, предназначена для медицинской рентгеновской диагностики больных в стационарных и нестационарных условиях и промышленном просвечивании материалов. Малые габаритные размеры трубки и вес позволяют разработать импульсный рентгеновский аппарат с чрезвычайно малым весом и габаритами с питанием от сети переменного тока 220 В 50Гц и от аккумулятора 24 В. Последнее обстоятельство делает возможным использовать прибор в труднодоступных местах и, в частности, районах Крайнего Севера. Технические данные: 1. Эффективная энергия рентгеновского излучения – 100-150 КэВ. 2. Диаметр фокусного пятна – 1,5 мм. 3. Максимальная частота следования импульсов – 100 Гц. 4. Импеданс трубки – менее 100 Ом. 5. Емкость, разряжаемая через трубку – не более 30 пФ. 6. Минимальная наработка – 106 имп.

Р1-16 - прецизионные постоянные непроволочные резисторы, предназначены для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов для монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы. Резисторы Р1-16 выпускаются в незащищенном варианте исполнения

В состав фотоприемного устройства входит восемь фоточувствительных элементов (ФЧЭ) (4 внешних и 4 внутренних) и восемь предварительных усилителей. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество ФЧЭ 8 Диаметр ФЧЭ, мм: - внешних 10 - внутренних 2 Спектральный диапазон, мкм 0,6 – 1,1 Рабочая длина волны, мкм 1,06 Пороговая импульсная чувствительность: - для внешних элементов Вт, не более 1·10-7 - для внутренних элементов Вт, не более 0,6·10-7 Вольтовая чувствительность, В/Вт, не менее: - для внешних элементов 1·104 - для внутренних элементов 0,6·104 Разброс вольтовой чувствительности 15 Динамический диапазон выходных сигналов от уровня шума, дБ, не менее - для внешних элементов ФЧЭ 57 - для внутренних элементов ФЧЭ 70 Напряжение питания, В: - ФЧЭ (фотодиодов) 200 - предусилителей 12

Р1-12 - чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения защищенного варианта исполнения, предназначены для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов и в импульсном режиме для монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы. Резисторы изготавливают в едином исполнении пригодном как для ручной так и для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры.

Чип-резисторы тонкопленочные, незащищенного варианта исполнения, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов для ручного и автоматизированного монтажа на поверхность печатных плат и в гибридные интегральные схемы.