Поиск

8 тов.
Вид:
  • Выбрано: 0
    Применение
  • Выбрано: 1
    Название
  • Выбрано: 0
    Компания
  • Выбрано: 0
    Производство
  • Выбрано: 0
    Дополнительно
    Все фильтры
    • 3
      Применение
    • Название
    • 2
      Компания
    • 3
      Производство
    • 0
      Дополнительно
      Вид:
      8 тов.
      Транзисторы  2Т867А
      Транзисторы 2Т867А
      Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n мощные переключательные высоковольтные транзисторы 2Т867А в металлостеклянном корпусе КТ-9, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, во вторичных источниках питания и других схемах аппаратуры специального назначения.
      Завод «Искра»
      Ульяновск
      Произведено в: Ульяновск
      Транзисторы  2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В, 2Т856Г
      Транзисторы 2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В, 2Т856Г
      Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n мощные переключательные высоковольтные транзисторы 2Т856А, Б, В, Г в металлостеклянном корпусе КТ-9, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, во вторичных источниках питания и других схемах аппаратуры специального назначения. Транзисторы соответствуют техническим условиям аАО.339.383ТУ
      Завод «Искра»
      Ульяновск
      Произведено в: Ульяновск
      Транзисторы  2Т878А,  2Т878Б, 2Т878В
      Транзисторы 2Т878А, 2Т878Б, 2Т878В
      Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n мощные переключательные высоковольтные транзисторы 2Т878А, 2Т878Б, 2Т878В в в металлостеклянном корпусе КТ-9, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, во вторичных источниках питания и других схемах аппаратуры специального назначения. Транзисторы соответствуют техническим условиям аАО.339.574ТУ
      Завод «Искра»
      Ульяновск
      Произведено в: Ульяновск
      Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности 2Т679 А-2/ЭП 2Т679 Б-2/ЭП
      Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности 2Т679 А-2/ЭП 2Т679 Б-2/ЭП
      Корпус бескорпусные Технические условия АЕЯР.432140.347 ТУ
      Экситон
      Павловский Посад
      Произведено в: Павловский Посад, Московская область
      Высокочастотный p-n-p транзистор малой мощности 2Т313 А-2/ЭП 2Т313 Б-2/ЭП
      Высокочастотный p-n-p транзистор малой мощности 2Т313 А-2/ЭП 2Т313 Б-2/ЭП
      Корпус КТ-1 Технические условия АЕЯР.432140.343 ТУ
      Экситон
      Павловский Посад
      Произведено в: Павловский Посад, Московская область
      Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности 2Т629 АМ-2/ЭП
      Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности 2Т629 АМ-2/ЭП
      Корпус бескорпусные Технические условия АЕЯР.432140.346 ТУ
      Экситон
      Павловский Посад
      Произведено в: Павловский Посад, Московская область
      Транзисторы  2Т879А, 2Т879Б
      Транзисторы 2Т879А, 2Т879Б
      Кремниевые планарные n-p-n мощные переключательные транзисторы 2Т879А, 2Т879Б в металлокерамическом корпусе предназначены для работы в мощных ключевых устройствах.
      Завод «Искра»
      Ульяновск
      Произведено в: Ульяновск
      Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности 2Т3130 А9/ЭП 2Т3130 Е9/ЭП
      Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности 2Т3130 А9/ЭП 2Т3130 Е9/ЭП
      Корпус КТ-46 Технические условия АЕЯР.432140.345 ТУ
      Экситон
      Павловский Посад
      Произведено в: Павловский Посад, Московская область