Поиск

148 тов.
Вид:
  • Выбрано: 0
    Применение
  • Выбрано: 0
    Название
    Загрузка...
  • Выбрано: 0
    Компания
  • Выбрано: 1
    Производство
  • Выбрано: 0
    Дополнительно
Все фильтры
  • 3
    Применение
  • 24
    Название
    Загрузка...
  • 1
    Компания
  • Производство
  • 2
    Дополнительно
Вид:
148 тов.
Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности 2Т679 А-2/ЭП 2Т679 Б-2/ЭП
Высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности 2Т679 А-2/ЭП 2Т679 Б-2/ЭП
Корпус бескорпусные Технические условия АЕЯР.432140.347 ТУ
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
564ИР6В 8-ми разрядный сдвигающий регистр
564ИР6В 8-ми разрядный сдвигающий регистр
Технические условия исполнения бК0.347.064ТУ23. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения при включении и выключении ≤ 1000 нс при UCC = 5 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Выходной ток низкого уровня ≥ 1,0 мА при UCC = 10,0 B; UO = 0,5 B. Выходной ток высокого уровня ≥ /-1,0/ мА при UCC = 10,0 B; UO = 9,5 B. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У.
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
765ИР13 12-разрядный регистр последовательного приближения
765ИР13 12-разрядный регистр последовательного приближения
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область
Высокочастотный p-n-p транзистор малой мощности 2Т313 А-2/ЭП 2Т313 Б-2/ЭП
Высокочастотный p-n-p транзистор малой мощности 2Т313 А-2/ЭП 2Т313 Б-2/ЭП
Корпус КТ-1 Технические условия АЕЯР.432140.343 ТУ
Экситон
Павловский Посад
Произведено в: Павловский Посад, Московская область