Поиск

Генератор способен работать как автономно, так и в составе автоматизированных измерительных систем c интерфейсами типа USB и IЕЕЕ-488 (КОП). Технические характеристики Диапазон частот (ВЧ выход) от 9 кГц до 6 ГГц Диапазон частот (НЧ выходы) от 0,001 Гц до 30 МГц Дискретность перестройки частоты (ВЧ выход) 1 Гц Дискретность перестройки частоты (НЧ выходы) 0,001 Гц Основная погрешность установки частоты ± 3х10-7 Гц Диапазон установки уровня мощности выходного сигнала на основном ВЧ выходе от минус 120 до 13 дБм Диапазон установки амплитуды сигнала на нагрузке 50 Ом (НЧ выходы) от 0,01 до 5 В Основная погрешность установки опорного уровня мощности (ВЧ выход) ± (0,5 – 1,0) дБ Основная погрешность установки амплитуды сигналов синусоидальной формы (НЧ выходы) ± (3 – 15)% Нестабильность уровня мощности сигнала за любой 15-минутный интервал времени (ВЧ выход) не более 0,1 дБ Метрологические характеристики генератора в режиме работы ЧМ: - диапазон частот модулирующего сигнала от 1 до 100 кГц - диапазон установки девиации частоты (с учетом значения несущей частоты) от 12,5 до 4000 кГц - основная погрешность установки девиации частоты ± (10 – 20)% Метрологические характеристики генератора в режиме работы АМ: - диапазон частот модулирующего сигнала от 0,05 до 5,0 кГц - диапазон установки коэффициента амплитудной модуляции от 1 до 100 % - основная погрешность установки коэффициента амплитудной модуляции (при работе от внутреннего источника сигнала) ± (0,15М + 0,2)% Метрологические характеристики генератора в режиме работы ИМ: - диапазон длительности модулирующих импульсов от 100 нс до 20 с - диапазон периода следования модулирующих импульсов от 140 нс до 30 с - отличие длительности выходных ВЧ импульсов от длительности модулирующих импульсов ± 100 нс Интервал рабочих температур от минус 10 до 40°С Питание от сети переменного тока 220 В, 50 Гц Потребляемая мощность, не более 100 ВА Габаритные размеры, мм 498х136х487 Масса, не более 15 кг.

Тиратроны работают при частоте повторения импульсов до 50000 имп/с при условии снижения импульсной и средней мощности. Напряжение анода, кВ 25* 16.5** Напряжение анода обратное, кВ 5.0 20.0 Ток анода в импульсе, А 3000 2500 Ток анода средний, А 3.0 2.5 Длительность импульса тока анода, мкс 10 Крутизна фронта импульса тока анода, А/с 2x109 Частота повторения импульсов, имп./с 100 350 Время разогрева, мин 12 Ток наката, А 75 Габариты ØхH, мм 210x300.

Технические характеристики: Исполнения по допустимой мощности, Вт 500 1000 Входное напряжение, В 0…330 0…330 Подавление синфазных помех на частотах, дБ: 0,15 МГц 0,3 МГц 0,5 МГц 1 МГц 3 МГц 5 МГц 10 МГц 23 37 47 60 63 61 59 30 40 45 50 55 54 50 Подавление дифференциальных помех на частотах, дБ: 0,15 МГц 0,3 МГц 0,5 МГц 1 МГц 3 МГц 5 МГц 10 МГц 30 МГц 16 21 30 35 22 16 6 13 9 12 16 20 15 10 9 11 Максимальный ток, А 1,7 3,6 Защита от кратковременного воздействия повышенного напряжения Да Предохранитель плавкий Ток срабатывания, А Да 5 ± 1 Возможность установки дополнительных буферных конденсаторов Да Конструктивное исполнение бескорпусное Габариты, мм 80

Особенности: • Волоконный лазерный усилитель на основе иттербиевого волокна • Мощность излучения 1000 Вт • Рабочая длина волны 1064 нм • Непрерывный режим работы (CW) • Параметр качества пучка M2<1,3 • Поддержка состояния поляризации • Модель с водяным охлаждением

Внешнее прецизионное устройство сбора аналоговой и цифровой информации с USB портом. Применяется в автоматизации систем. АЦП 12 разрядов; 16 однопол./8 дифференциальных каналов; макс. частота дискретизации 16 кГц; U вх.= ±10В…±0.05В; прогр. коэф. усил. на канал отдельно 1, 2,…40, 100, 200; Rвх. > 5 МОм; групповая гальваническая развязка 1,5 кВ; ЦАП 12 разрядов; 2 канала; вых. напр. ±10В; память 1 Гбайт; 16 ТТЛ вх.; Ethernet 10/100 Мбит/с; 10/100Base-T (витая пара UTP-5) – базовая модель

Автономный модуль (АМ) беспроводного доступа к Интернету с питанием от солнечной энергии «Соларис W» предназначен для обеспечения беспроводной связью парковых зон и мест массового скопления людей. Корпус модуля изготовлен в антивандальном исполнении из металлоконструкций, обладает возможностью размещения информации на боковых поверхностях и внутренней подсветкой, питание которой также обеспечивается за счет солнечных батарей. АМ предназначен для монтажа на открытом пространстве на поверхность земли. Необходимая площадь установки не более 1,5 м². Конструкция АМ – вандалостойкая. АМ может обеспечить одновременное подключение не более 300 чел. Гарантийный срок службы АМ не менее 3 лет. СОЛАРИС W ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Напряжение питания, В — 12В, 50Гц Мощность аппаратного комплекса, Вт — 24Вт Габаритные размеры, мм — 1400 х 1000 х 3000 Эксплуатация в температурном режиме от -20 °C до +50 °C

Технические условия исполнения бК0.347.064ТУ20. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Время задержки распространения сигнала управления ≤ 125 нс при UCC1 = 5 В, UCC2 = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Время задержки распространения сигнала ≤ 30 нс при UCC1 = 5 В, UCC2 = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед., К1 по 1У.

Основные характеристики: Погрешность индикации выходного напряжения, ±0,3 В Погрешность индикации выходного тока, ±0,06 А Нестабильность выходного напряжения от изменения напряжения питающей сети, 0,05% Нестабильность выходного тока от изменения напряжения питающей сети, 0,2% Нестабильность выходного напряжения при изменении тока нагрузки, 0,1 % Нестабильность выходного тока при изменении напряжения на нагрузке, 5,0 % Пульсации выходного напряжения, мВ 1,0

Постоянные непроволочные безвыводные чип-резисторы защищенного исполнения, предназначенные для работы в электрических цепях постоянного, переменного и импульсного токов.