Поиск

1334 тов.
Вид:
  • Выбрано: 1
    Применение
    Загрузка...
  • Выбрано: 0
    Название
    Загрузка...
  • Выбрано: 0
    Компания
    Загрузка...
  • Выбрано: 0
    Производство
    Загрузка...
  • Выбрано: 0
    Дополнительно
    Загрузка...
Все фильтры
  • Применение
    Загрузка...
  • 338
    Название
    Загрузка...
  • 113
    Компания
    Загрузка...
  • 56
    Производство
    Загрузка...
  • 128
    Дополнительно
    Загрузка...
Вид:
1334 тов.
Измеритель модулей коэффициентов передачи и отражения Р2-133
Измеритель модулей коэффициентов передачи и отражения Р2-133
Предназначен для панорамного наблюдения и измерения модулей коэффициентов передачи и отражения, коэффициента стоячей волны по напряжению (КСВН) коаксиальных сверхвысокочастотных (СВЧ) устройств каналов 7/3,04; 3,5/1,52 мм (50 Ом) с воспроизведением их частотных зависимостей с цифровым отсчетом результатов измерения на экране ЭВМ.
ННПО им. М.В.Фрунзе
Нижний Новгород
Произведено в: Нижний Новгород
Система электропитания
Система электропитания
Прибор предназначен для питания радиоэлектронной аппаратуры постоянными и переменными стабилизированными напряжениями в условиях эксплуатации по группе 2.1.1 ГОСТ РВ20.39.304-98. Прибор преобразовывает постоянное входное напряжение от 175 до 320 В в однофазное переменное выходное напряжение 400 Гц 230 В; трехфазное выходное напряжение частотой 50 Гц 220 В; постоянные напряжения 28,5 В.
ТАЙФУН
Калуга
Произведено в: Калуга
2Д510А диоды кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные
2Д510А диоды кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные
Диод 2Д510А , производства ОАО "Цветотрон", предназначен как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры. Предназначен для работы в аппаратуре специального назначения. Масса диода 2Д510А - не более 0,15 г. Цвет маркировки - черный. Основные электрические параметры диода 2Д510А при Токр = 25°С Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) Буквенное обозначение параметра Норма не менее не более Постоянный обратный ток при постоянном обратном напряжении Uобр = 50 В, мкА Iобр 5,0 Постоянное прямое напряжение при постоянном прямом токе Iпр = 200 мА, В Uпр - 1,1 Заряд восстановления диода в режиме переключения с постоянного прямого тока Iпр=50мА на импульсное обратное напряжение Uобр.и = 10 В, пКл Qвос 400 Общая емкость диода при нулевом смещении, пФ Сд - 4,0 Время обратного восстановления диода в режиме переключения с постоянного прямого Iпр = 10 мА на импульсное обратное напряжение Uобр. и = 10В при ровне отсчета обратного тока Iобр.и = 2 мА,нс t вос обр - 4,0.
Произведено в: Брест, Беларусь
ТЕСТЕР МИКРОСХЕМ FORMULA HF Ultra
ТЕСТЕР МИКРОСХЕМ FORMULA HF Ultra
FORMULA® HF Ultra — универсальная контрольно-измерительная система для функционального и параметрического контроля ультравысокочастотных СБИС. Область применения Тестера — испытания и контроль качества на всех стадиях жизненного цикла СБИС, включая: Испытания и исследования вновь разработанных типов СБИС Производственные и приемочные испытания серийной продукции: квалификационные, периодические, отбраковочные, приемо-сдаточные Сертификационные испытания Входной контроль Тестеры FORMULA® HF Ultra являются типовыми средствами измерений с подтвержденными метрологическими характеристиками в соответствии с описанием типа. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ Тестеры FORMULA® HF Ultra созданы для выполнения достоверных измерений СБИС широкой номенклатуры, включая Системы на кристалле (СнК) и микросхемы смешанного сигнала, а также все виды современных ЗУ. Цифровые СБИСASIC, ПЛИС, стандартная жесткая логика Микропроцессоры и микроконтроллерыУниверсальные и сигнальные Одноядерные и многоядерные Отдельные и в составе СвК Микросхемы смешанного сигналаАЦП и ЦАП Микросхемы памятиFLASH, DRAM, DDR, DDR2, DDR3, SRAM, ROM, PROM Системы на кристалле, Системы в корпусеСБИС, включающие процессорные ядра, блоки памяти, программируемой логики, периферийных устройств, аналоговые компоненты, АЦП и ЦАП. Ключевые технические характеристики Тестера определяются следующими величинами: Количество универсальных двунаправленных каналов — до 1024 Частота функционального контроля до 550 МГц Опорная частота прецизионного генератора — 1200 МГц Память векторов/ошибок — до 128 М/128 М векторов Блок аналоговых измерений — 1200 МПс/24 бит Уровень и состав функциональных, параметрических и метрологических характеристик Тестера, установленный при его разработке, был определен исходя из номенклатуры и характеристик современных микросхем, а также с учетом обеспечения конкурентоспособности с современным зарубежным оборудованием того же назначения.
Форм
Москва
Произведено в: Москва
Вольтметр В7-77
Вольтметр В7-77
Предназначен для измерения постоянного и переменного напряжения и тока (измерение тока до 10 А), сопротивления постоянному току, а также для тестирования полупроводниковых элементов и проверки электрических цепей на короткое замыкание. Технические характеристики: Напряжение постоянного тока , Диапазон измерений, 10 мкВ-1000В Погрешность измерений, ± (0,05% +4 е.м.р.) Напряжение переменного тока , Диапазон измерений, 1 мВ - 750 В Погрешность измерений, ± (0,5% +4 е.м.р.) Диапазон частот, 20 Гц- 100 кГц Постоянный ток , Диапазон измерений, 0,1 мкА - 10 А Погрешность измерений, ± ( 0,25% +4 е.м.р.).
МНИПИ
Минск
Произведено в: Беларусь, Минск
БЛОК КОНТАКТОРОВ ЗАЩИТЫ И УПРАВЛЕНИЯ БКЗУ-500-01
БЛОК КОНТАКТОРОВ ЗАЩИТЫ И УПРАВЛЕНИЯ БКЗУ-500-01
Блок БКЗУ-500-01 предназначен для выполнения функций связанных с управлением пуска-останова двигателя, работой системы энергоснабжения, дистанционного и ручного отключения полюсов аккумуляторной батареи от бортовой сети, защиты силовых и управляющих цепей низковольтного оборудования, в том числе цепей пуска-останова и управления двигателем, защита цепей дополнительно устанавливаемых систем на карьерные самосвалы и спецтехнику БЕЛАЗ. Блок БКЗУ-500-01 соответствует ТУ BY 101269853.003-2017.
Произведено в: Беларусь, Минск
Тиратрон ТГИ2-500/20
Тиратрон ТГИ2-500/20
Тиратроны работают при частоте повторения импульсов до 50000 имп/с при условии снижения импульсной и средней мощности. Напряжение анода, кВ 20 10 Напряжение анода обратное, кВ 3.0 3.0 Ток анода в импульсе, А 500 300 Ток анода средний, А 0.5 0.4 Длительность импульса тока анода, мкс 0.1 – 0.2 0.1 – 0.3 Крутизна фронта импульса тока анода, А/с 1010 6x109 Частота повторения импульсов, имп./с 1000 12000 Время разогрева, мин 10 Ток накала, А 20.5 Габариты ØхH, мм 84x127.
ПЛАЗМА
Рязань
Произведено в: Рязань
Линзы SAC500
Линзы SAC500
Технические характеристики Материал: S-TIH53 (Ohara) Длина, мм: 5,8±0,02 Высота, мм: 1,5±0,02 Толщина, мм: 0,55±0,01 Показатель преломления, мм: 1,823 Шаг, мм: 0,5 Радиус, мм: 1,49 Эффективное фокусное расстояние, мм: 1,81 Заднее фокусное расстояние, мм: 1,5 Пропускание, %: >99,5 Просветляющее покрытие, нм на одну из длин волн из диапазона: 400-1500 Числовая апертура: 0,09 Качество поверхности при λ = 633 нм% λ/4 Остаточное отклонение в полном угле FW1/e2 (для без линейного отклонения лазерного диода), мрад: 90,0.
Инжект
г. Саратов
Произведено в: Саратов