رادیکن

روش اندازه گیری بر اساس تجزیه و تحلیل الگوی پراش حاصل از چرخش منبع اشعه ایکس در اطراف محور براگ در سطح سطح نمونه است.

طیف‌سنج اشعه ایکس سه دایره ای دو کریستالی اتوماتیک DSO-2P (DSO-2P) (شکل.1) طراحی شده است تا به طور خودکار جهت گیری صفحات کریستال تک نسبت به سطح کریستال را اصلاح کند ، از جمله روشن کردن جهت برش پایه. روش اندازه گیری بر اساس تجزیه و تحلیل الگوی پراش حاصل از چرخش منبع اشعه ایکس در اطراف محور براگ در سطح سطح نمونه است.

MD-10 یک طیف‌سنج اشعه ایکس است که روش غیر مخرب تجزیه و تحلیل دیفرانکشن اشعه ایکس مواد پلی کریستالی را فراهم می کند. این روش بر اساس پدیده پراش اشعه ایکس بر روی یک شبکه کریستالی است. با اندازه گیری زاویه ها و شدت قله های پراش ، می توان پارامترهای شبکه کریستالی را تعیین کرد ، ترکیب فاز کیفی و کمی یک ماده را انجام داد ، برای روشن کردن اصلاح (فاز) یک ترکیب خاص ، به عنوان مثال ، با استفاده از پایگاه داده JCPDS-ICDD.

طیف‌سنج اشعه ایکس دو کریستالی DSO-1 (DSO-1) برای اندازه گیری خودکار تعدادی از ویژگی های ساختاری ویفرهای نیمه هادی طراحی شده است: کمال ساختاری نمونه ها با توجه به منحنی های نوسان ، پارامترهای شبکه ، مشخصات تغییر شکل ساختار نزدیک به سطح و غیره. همچنین به شما امکان می دهد جهت کریستال ها را تعیین کنید.

این شامل یک واحد تشخیص ، یک واحد تشدید کننده است و می تواند برای کنترل اشعه ایکس به عنوان بخشی از دستگاه های مختلف اشعه ایکس ، به ویژه دیفرانکتومترهای اشعه ایکس استفاده شود. شدت سنج با استفاده از یک دستگاه اشاره گر ، یک خواندن بصری از شدت تابش را فراهم می کند. تقویت کننده می تواند هم در حالت دستی و هم با کنترل رایانه کار کند.

طیف‌سنج اشعه ایکس سه دایره ای اتوماتیک DSO-2v2 (DSO-2V2) (شکل.1) طراحی شده است تا به طور خودکار جهت گیری کریستال های تک و صفحات انبوه را نسبت به سطح کریستال ، از جمله تعیین جهت برش پایه ، اصلاح کند. روش اندازه گیری بر اساس تجزیه و تحلیل الگوی پراش حاصل از چرخش منبع اشعه ایکس در اطراف محور براگ در سطح سطح نمونه است.

این برای اندازه گیری زاویه برش کریستال های منفرد ، به ویژه یاقوت کبود با هر یک از جهت گیری ها ، C(0001) ، A(11-20) ، R(01-12) یا M(01-10) در محدوده سوء جهت ± 5.0 درجه با خطای 15 ثانیه زاویه ای طراحی شده است.

طیف‌سنج اشعه ایکس dso-2g (شکل.1) برای پالایش خودکار جهت گیری کریستال های تک سیلیکونی نسبت به سطح کریستال ، برای پالایش نیمه اتوماتیک جهت گیری نادرست محورهای هندسی و کریستالوگرافی و همچنین برای تعیین دستی و پالایش خودکار جهت گیری بخش پایه طراحی شده است. روش اندازه گیری بر اساس تجزیه و تحلیل بازتاب های پراش حاصل از چرخش یک منبع اشعه ایکس کم قدرت در نزدیکی سطح تجزیه و تحلیل شده یک کریستال تک ثابت است. در این حالت ، موقعیت مکانی سطح تجزیه و تحلیل شده با استفاده از سنسور فاصله لیزر تعیین می شود.