کاتالوگ
بازگشت به نتایج جستجو
Pd10-850 فوتودیود
بازگشت به نتایج جستجو
Pd10-850 فوتودیود
فوتودیود مبتنی بر سیلیکون P-I-N FD342-02 گروه A
فوتودیود شامل یک صفحه سیلیکونی با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد عناصر حساس به نور (PHE) 1
قطر PCE ، میلی متر 14
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.4 – 1.1
حساسیت تک رنگ فعلی در طول موج 0.9 میکرون ، A / W ، حداقل 0.35
جریان تاریک ، mkA ، بیش از 7
ظرفیت فوتودیود ، pF، بیش از 150
ولتاژ کار ، V 20
مدت زمان پالس ، ns 100
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
فوتودیود چند عنصر با کد خاکستری بر اساس آلمان FD246BM
فوتودیود شامل یک صفحه ژرمنیوم با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد.
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد سایت های حساس به نور (FFP) 8
اندازه PFP ، میلی متر 6x0. 3
تعداد ارقام کد خاکستری 2 است
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.8 - 1.6
طول موج های عملیاتی ، میکرون 1.06 ؛ 1.3 ؛ 1.55
حساسیت فعلی در حداکثر ، A / W ، حداقل 0.4
ولتاژ کار ، 0.2 V
وزن ، g ، نه بیشتر از 15
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
فوتودیود مبتنی بر سیلیکون P-I-N FD342-03
فوتودیود شامل یک صفحه سیلیکونی با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد عناصر حساس به نور (PHE) 1
قطر PCE ، میلی متر 14
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.4 – 1.1
حساسیت تک رنگ فعلی در طول موج 1.06 میکرون ، A / W ، حداقل 0.3
جریان تاریک ، mkA ، بیش از 7
ظرفیت فوتودیود ، pF ، بیش از 90
ولتاژ کار ، V 25
فرکانس محدود ، مگاهرتز ، حداقل 5
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
دستگاه گیرنده فوتون با دیود نوری سیلیکونی
یک فوتودتکتور با یک فوتودیود سیلیکونی (که در ادامه به عنوان FPU FD نامیده می شود) برای ثبت جریان های نور در محدوده طیف از 190 تا 1100 نانومتر طراحی شده است. این دستگاه شامل یک فوتودیود و یک پیش تقویت کننده با ADC است که یک سیگنال آنالوگ را به یک سیگنال دیجیتال با فرکانس 40 کیلوهرتز (25 میکرو ثانیه در هر چرخه ADC) و یک میکروپروسسور با خروجی به اتوبوس IIC تبدیل می کند. FPU FD می تواند برای اندازه گیری در سطوح نور نسبتا بالا استفاده شود — زمانی که سر و صدا ناشی از فوتون ها قوی تر از سر و صدا تقویت کننده داخلی است.
LOMO PHOTONICS PLUS
Saint Petersburg
تولید شده در: سن پترزبورگ
فوتودیود مبتنی بر سیلیکون P-I-N FD342M
فوتودیود شامل یک صفحه سیلیکونی با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد عناصر حساس به نور (PHE) 1
قطر PCE ، میلی متر 14
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.4 – 1.1
حساسیت تک رنگ فعلی در طول موج 1.06 میکرون ، A / W ، حداقل 0.3
جریان تاریک ، mkA ، بیش از 7
ظرفیت فوتودیود ، pF ، بیش از 90
ولتاژ کار ، V 25
فرکانس محدود ، مگاهرتز ، حداقل 5
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
فوتودیود مبتنی بر سیلیکون P-I-N FD342
فوتودیود شامل یک صفحه سیلیکونی با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد عناصر حساس به نور (PCE) 1
قطر PCE ، میلی متر 14
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.4 – 1.1
حساسیت تک رنگ فعلی در طول موج 1.06 میکرون ، A / W ، حداقل 0.2
حساسیت تک رنگ فعلی در حداکثر ، A / W ، نه کمتر
جریان تاریک ، mkA ، بیش از 7
ولتاژ کار ، V 75
فرکانس محدود ، مگاهرتز ، حداقل 5
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
فوتودیود مبتنی بر سیلیکون P-I-N FD342-02 گروه A
فوتودیود شامل یک صفحه سیلیکونی با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد عناصر حساس به نور (PCE) 1
قطر PCE ، میلی متر 14
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.4 – 1.1
حساسیت تک رنگ فعلی در طول موج 0.9 میکرون ، A / W ، حداقل 0.35
جریان تاریک ، mkA ، بیش از 7
ظرفیت فوتودیود ، pF ، بیش از 150
ولتاژ کار ، V 20
مدت زمان پالس ، ns 100
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
فوتودیود مبتنی بر سیلیکون P-I-N FD342
فوتودیود شامل یک صفحه سیلیکونی با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد عناصر حساس به نور (PCE) 1
قطر PCE ، میلی متر 14
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.4 – 1.1
حساسیت تک رنگ فعلی در طول موج 1.06 میکرون ، A / W ، حداقل 0.2
حساسیت تک رنگ فعلی در حداکثر ، A / W ، نه کمتر
جریان تاریک ، mkA ، بیش از 7
ولتاژ کار ، V 75
فرکانس محدود ، مگاهرتز ، حداقل 5
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
فوتودیود مبتنی بر سیلیکون P-I-N FD342-02
فوتودیود شامل یک صفحه سیلیکونی با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد عناصر حساس به نور (PCE) 1
قطر PCE ، میلی متر 14
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.4 – 1.1
حساسیت تک رنگ فعلی در طول موج 1.06 میکرون ، A / W ، حداقل 0.2
حساسیت تک رنگ فعلی در حداکثر ، A / W ، نه کمتر
جریان تاریک ، mkA ، بیش از 7
ولتاژ کار ، V 75
فرکانس محدود ، مگاهرتز ، حداقل 5
ظرفیت فوتودیود ، pF ، بیش از 70
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
دستگاه فوتودتکتور با ضریب فوتوالکترونیک (PMT)
یک فوتودتکتور با ضریب فوتوالکترونیکی FPU FEU می تواند با FEU 1p28 برای کار در محدوده 185 تا 600 نانومتر یا FEU R928 برای کار در محدوده 185 تا 900 نانومتر یا FEU R5108 برای محدوده 400 تا 1200 نانومتر بسته به خواسته مشتری مجهز شود. تمام PMF های ذکر شده توسط Hamamatsu تولید می شوند. این دستگاه همچنین شامل یک پانل لامپ فعال ، از جمله یک منبع تغذیه ولتاژ بالا قابل تنظیم و یک تقسیم کننده ولتاژ فعال و ADC است.
LOMO PHOTONICS PLUS
Saint Petersburg
تولید شده در: سن پترزبورگ
فوتودیود چند عنصر با کد خاکستری بر اساس آلمان FD246VM
فوتودیود شامل یک صفحه ژرمنیوم با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد.
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد سایت های حساس به نور (FFP) 8
اندازه PFP ، میلی متر 6x0. 3
تعداد ارقام کد خاکستری 2 است
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.8 - 1.6
طول موج های عملیاتی ، میکرون 1.06 ؛ 1.3 ؛ 1.55
حساسیت فعلی در حداکثر ، A / W ، حداقل 0.4
ولتاژ کار ، 0.2 V
وزن ، g ، نه بیشتر از 15
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
فوتودیود مبتنی بر سیلیکون P-I-N FD342M
فوتودیود شامل یک صفحه سیلیکونی با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد عناصر حساس به نور (PHE) 1
قطر PCE ، میلی متر 14
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.4 – 1.1
حساسیت تک رنگ فعلی در طول موج 1.06 میکرون ، A / W ، حداقل 0.3
جریان تاریک ، mkA ، بیش از 7
ظرفیت فوتودیود ، pF ، بیش از 90
ولتاژ کار ، V 25
فرکانس محدود ، مگاهرتز ، حداقل 5
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
فوتودیود مبتنی بر سیلیکون P-I-N FD342-03
فوتودیود شامل یک صفحه سیلیکونی با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد عناصر حساس به نور (PHE) 1
قطر PCE ، میلی متر 14
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.4 – 1.1
حساسیت تک رنگ فعلی در طول موج 1.06 میکرون ، A / W ، حداقل 0.3
جریان تاریک ، mkA ، بیش از 7
ظرفیت فوتودیود ، pF ، بیش از 90
ولتاژ کار ، V 25
فرکانس محدود ، مگاهرتز ، حداقل 5
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
یک فوتودیود چند عنصر با یک کد خاکستری بر اساس آلمان FD246AM
فوتودیود شامل یک صفحه ژرمنیوم با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد.
مشخصات فنی
ارزش نام
تعداد سایت های حساس به نور (FFP) 8
اندازه PFP ، میلی متر 6x0. 3
تعداد ارقام کد خاکستری 4 است
محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.8 - 1.6
طول موج های عملیاتی ، میکرون 1.06 ؛ 1.3 ؛ 1.55
حساسیت فعلی در حداکثر ، A / W ، حداقل 0.4
ولتاژ کار ، 0.2 V
وزن ، g ، نه بیشتر از 15
جبار
Москва
تولید شده در: مسکو
خازن K15-12
آنها در حالت فرکانس بالا و همچنین در حالت پالس و مدارهای DC استفاده می شوند.
ZVEK "پیشرفت"
Ухта, пгт. Водный
تولید شده در: اوختا
خازن های الکترولیتی K50-32A
دامنه وسیع دمای کار، ولتاژ پایین، برای محصولات عمومی
کارخانه خازن ورونژ
Воронеж
تولید شده در: ورونژ (نام یک شهر در روسیه)
نوسانگر کوارتز GKZ26-S
مسکن SMD5032
اندازه 5. 0x3. 2x1. 3 (میلی متر)
فرکانس 1-200 مگاهرتز
سیگنال خروجی lvcmos
شهاب
Волжский
تولید شده در: منطقه ولگوگراد, ولژسکی
آشکارساز ولتاژ K1230DN1BR
مشخصات فنی
نام K1230DN1BR
تعداد کانال ها 2
مسکن 2101.8-1 (DIP-8)
نصب THT
آنالوگ MC33161
توجه آشکارساز ولتاژ جهانی
وضعیت تولید
Ser / وضعیت تولید
نام TU SF3. 438. 058-03 TUGK
واگذاری otc
حداقل دمای کار
سه گانه ، بی بی سی -45
حداکثر دمای کار
تکس مکس ، بی بی سی 85
محدوده ولتاژ عملیاتی ، از
Uvx ، در 2
محدوده ولتاژ عملیاتی ، تا
Uvc حداکثر ، در 40
ولتاژ خروجی
دو ، در 40
ولتاژ باقیمانده
Uost ، در 0.2
ولتاژ مرجع
اورف ، در 2.54
ولتاژ انتشار
Ugs th ، در 1.245
ولتاژ کار
Ugs th max ، در 1.295
عرض هیستریزیس
ام وی 25
جریان خروجی
Iv ، A 0.02
جریان اتصال کوتاه
Icz max و 0.03
مصرف فعلی در حالت استراحت
حداکثر روشن / خاموش ، mkA 700
جریان نشت در خروجی
Iol ، mkA 1
گروه سیلیکون ال
Брянск
تولید شده در: بریانسک
خازن آلومینیوم اکسید-الکترولیتی K50-105
اطلاعات فنی پایه
ارزش نام
ولتاژ نامی ، V 400 ؛ 450
ظرفیت رتبه بندی شده ، UF 120 ؛ 220 ؛ 330
انحراف ظرفیت مجاز (25 درجه سانتیگراد ، 50 هرتز) ، ٪ ±20
جریان دمای محیط بالا ، حداکثر مقدار در حین کار ، °C +85
کاهش جریان دمای محیط ، حداقل مقدار در حین کار ، -40 درجه سانتیگراد
ELECOND
Сарапул
تولید شده در: سرابول
خازن های شروع فیلم فلزی K78-22
این خازن ها برای کار به عنوان خازن جبران کننده طراحی شده اند:
• در ماشین آلات نجاری;
• در اتاق های سردخانه;
* در پمپ ها;
• در ماشین لباسشویی;
• در آبمیوه گیری;
• در مدارهای لامپ های فلورسنت و سایر لامپ های تخلیه;
* چیزهای دیگر.
کارخانه خازن کوزنتسک
Кузнецк
تولید شده در: کوزنتسک
سوئیچ های موج رسان فریت
موسسه تحقیقاتی Ferrite-Domain سوئیچ های ferrite waveguide را برای فرکانس های عملیاتی از 7 تا 40 گیگاهرتز با باند فرکانس 5 ٪ ، از جمله سطح قدرت متوسط بالا (تا 150 وات) در نسخه های زمینی ، دریایی ، هوایی و فضایی توسعه و تولید می کند.
محدوده عملیاتی سوئیچ های موج رسان
سوئیچ های پرسرعت 7.7.. 95 گیگاهرتز
سوئیچ های چند کاناله با سرعت بالا با بار 9.. 95 گیگاهرتز
سوئیچ پشتیبان گیری 3.3 ... 96 گیگاهرتز
دامنه فریت
Санкт-Петербург
تولید شده در: سن پترزبورگ
خازن های الکترولیتی K50-29
دامنه وسیع دمای کار برای محصولات عمومی
کارخانه خازن ورونژ
Воронеж
تولید شده در: ورونژ (نام یک شهر در روسیه)
FNCH-45
خواص اساسی
از دست دادن پهنای باند کم;
یک نوار سد گسترده.
شرایط عملیاتی
محدوده دمای کار از منفی 10
تا 50 درجه سانتیگراد;
رطوبت نسبی هوا تا 98 ٪ در دمای 25 درجه سانتیگراد است.
مشخصات فنی
مقطع موج رسان ، میلی متر 5.2×2.6
پهنای باند Fh-Fb at -1 dB ، GHz 37-45
باند مانع در سطح -30 دسی بل ، GHz 50-70
از دست دادن پهنای باند ، 0.5-1.0 dB
NPF "Technoyax"
Moscow
تولید شده در: مسکو
خازن های فیلم فلزی پلی پروپیلن با ظرفیت ثابت K78-31
آنها برای کار به عنوان عناصر داخلی در داخل محصولات کامل در مدارهای جریان dc ، AC و پالس و در حالت پالس طراحی شده اند.
کارخانه خازن کوزنتسک
Кузнецк
تولید شده در: کوزنتسک
خازن K15U-1
جهانی. برای کار در تجهیزات رادیویی با قدرت بالا در حالت فرکانس بالا و در مدارهای DC.
ZVEK "پیشرفت"
Ухта, пгт. Водный
تولید شده در: اوختا
FNCH-53
این LPF را می توان در ارتباط با فیلترهای باند پاس موج‌برهای برای افزایش سرکوب سیگنال های جعلی و گسترش نوار بالایی مانع استفاده کرد.
خواص اساسی
از دست دادن پهنای باند کم;
یک نوار سد گسترده.
شرایط عملیاتی
محدوده دمای کار از منفی 10
تا 50 درجه سانتیگراد;
رطوبت نسبی هوا تا 98 ٪ در دمای 25 درجه سانتیگراد است.
مشخصات فنی
مقطع موج رسان ، میلی متر 5.2×2.6
پهنای باند Fh-Fb at -1 dB ، GHz 45-53. 6
باند مانع در سطح -30 دسی بل ، GHz 60-78
از دست دادن پهنای باند ، 0.5-1.0 dB
NPF "Technoyax"
Moscow
تولید شده در: مسکو
پودرهای سرامیکی با دمای پایین شلیک
پودرهای سرامیکی با دمای پایین با تلفات نسبتا کم برای ریخته گری نوارهای "خام" (فناوری LTCC) و تولید سایر بسترهای سرامیکی مورد استفاده در تولید مدارهای مایکروویو ترکیبی چند لایه طراحی شده اند.
دامنه فریت
Санкт-Петербург
تولید شده در: سن پترزبورگ
خازن های الکترولیتی K50-32
دامنه وسیع دمای کار، ولتاژ متوسط و بالا، برای مصارف عمومی
کارخانه خازن ورونژ
Воронеж
تولید شده در: ورونژ (نام یک شهر در روسیه)
هسته های ساخته شده از پودرهای فلزی مغناطیسی نرم
به طور کلی ، پودرهای شروع ذرات آلیاژهای فلزی مربوطه با عایق الکتریکی فردی هستند که در نتیجه حلقه های این مواد دارای ساختار با شکاف هوای توزیع شده هستند که در مورد حلقه های فریت با برش شیار و در هسته های W شکل ، زرهی و مربع-با سنگ زنی هسته مرکزی به دست می آید.
هسته های این گروه از مواد مغناطیسی نرم دارای تعدادی از ویژگی های مهم هستند که به طور موثر
قابل استفاده در گره های مختلف دستگاه های الکتریکی و تجهیزات ارتباطی:
* مقاومت بالا;
* تلفات هیستریزیس کم;
• القای اشباع بالا;
* ثبات القایی فوق العاده بالا در میدان های الکتریکی متناوب و ثابت;
* پایداری زمانی بالا پارامترها.
به درخواست مشتری ، هسته ها را می توان با یک فیلم پلی آمید 11 ("Rilsan") پوشاند که می تواند ولتاژ خرابی را تحمل کند
تا 10 کیلو ولت
دامنه فریت
Санкт-Петербург
تولید شده در: سن پترزبورگ