دیودهای یکسو کننده انتشار سیلیکون
در قاب شیشه ای فلزی
فرکانس مجاز کار ولتاژ تا 1 کیلوهرتز است
دمای کار محیط: - 60C - +125C;
وزن (به حداکثر): 0.5 گرم;
نوع مسکن (GOST 18472-88): KD-29A
مشخصات فنی: TR3. 362. 067 TU/ D1

دیود D066-12500

D066-12500 یک دیود جوشکاری در نسخه تبلت بدون کیس است. دارای ولتاژ معکوس پالس تکراری URRM 200-400 ولت و تلفات استاتیک کم است. طراحی استاندارد نصب را در تجهیزات موجود ساده می کند. حداکثر دمای انتقال Tjmax 180 درجه سانتیگراد است. قطر سطح تماس 58 میلی متر است. URRM [در دقیقه] [در دقیقه]: 200 URRM [در max] [در max]: 400 IFAV [A]: 14703 تی سی: 85 UFM (Tc=25°C) [In]: 1.04 IFM (Tc=25°C) [a]: 6300 U (TO)/Tjmax [B]: 0.72 rt / tjmax [مامان]: 0.026 Tjmax [°C]: 180 Rthjc [°C / W]: 0.0039 مسکن: ------------ نسخه: تبلت نوع: جوشکاری

پروتون-الکتروتکس

Орел

تولید شده در: اوریول

دیودهای مخلوط کننده 2A105A ، 2A105B

محدوده طول موج عملیاتی: 3-8 سانتی متر; دمای کار محیط: منهای 60 درجه سانتیگراد-125 درجه سانتیگراد; وزن (نه بیشتر): 0.15 گرم; نوع مسکن (GOST 18472-88): KD121 مشخصات فنی: TR3. 360. 075 TU

کارخانه الکترونیک تومیلینسکی

Люберцы, рп Томилино

تولید شده در: تومیلینو, استان مسکو

دیود D056-9500

D056-9500 یک دیود جوشکاری در طراحی تبلت بدون پوسته است. دارای ولتاژ معکوس پالس تکراری URRM 200-400 ولت و تلفات استاتیک کم است. طراحی استاندارد نصب را در تجهیزات موجود ساده می کند. حداکثر دمای انتقال Tjmax 180 درجه سانتیگراد است. قطر سطح تماس 50 میلی متر است. دیود D056-9500 دیودها URRM [در دقیقه] [در دقیقه]: 200 URRM [در max] [در max]: 400 IFAV [A]: 11814 تی سی: 85 UFM (Tc=25°C) [In]: 1.08 IFM (Tc=25°C) [a]: 6300 U (TO)/Tjmax [B]: 0.74 rt / tjmax [مامان]: 0.030 Tjmax [°C]: 180 Rthjc [°C / W]: 0.0050 مسکن: ------------ نسخه: تبلت نوع: جوشکاری

Орел

تولید شده در: اوریول

دیودهای پالس مسطح اپیتاکسیال سیلیکونی 2d510a

دیود 2D510A ، تولید شده توسط JSC Tsvetotron ، برای مونتاژ دستی و خودکار تجهیزات طراحی شده است. این دستگاه برای کار در تجهیزات خاص طراحی شده است. جرم دیود 2d510a بیش از 0.15 گرم نیست. رنگ علامت گذاری سیاه است. پارامترهای الکتریکی اصلی دیود 2d510a در جریان = 25 ° C نام پارامتر, واحد اندازه گیری (حالت اندازه گیری) نامه تعیین از هنجار پارامتر نه کمتر از نه بیشتر جریان معکوس ثابت در ولتاژ معکوس ثابت Uobr = 50 V ، Mka Iobr 5,0 ولتاژ ثابت به جلو در جریان ثابت به جلو ip = 200 میلی آمپر ، در Upr-1.1 شارژ بازیابی دیود در حالت سوئیچینگ از جریان مستقیم مستقیم ip =50mA به ولتاژ معکوس پالس Uobr.i = 10 V ، Pcl Qvoc 400 ظرفیت کل دیود در صفر آفست ، pF Sd-4.0 زمان بازیابی معکوس دیود در حالت سوئیچینگ از یک ip ثابت به جلو = 10 میلی آمپر به یک ولتاژ معکوس پالس Uobr. i = 10 V با خواندن یکنواخت جریان معکوس Iobr.i = 2 mA ، hc t voc-4.0

Colortron

Брест

دیود

برست

ابزار اندازه گیری (غیر الکتریکی و شیمیایی)

مهندسی

بلاروس

الکترونیک

تولید شده در: برست, بلاروس

دیودهای پالس اپیتاکسیال-مسطح سیلیکونی kd510a

دیود KD510A ، تولید شده توسط JSC Tsvetotron ، برای مونتاژ دستی و خودکار تجهیزات طراحی شده است. این دستگاه برای کار در تجهیزات عمومی طراحی شده است. جرم دیود CD510A بیش از 0.15 گرم نیست. رنگ علامت گذاری سیاه است. پارامترهای الکتریکی اصلی دیود CD510A در جریان = 25 درجه سانتیگراد نام پارامتر, واحد اندازه گیری (حالت اندازه گیری) نامه تعیین از هنجار پارامتر نه کمتر از نه بیشتر جریان معکوس ثابت در ولتاژ معکوس ثابت Uobr = 50 V ، Mka Iobr 5,0 ولتاژ ثابت به جلو در جریان ثابت به جلو ip = 200 میلی آمپر ، در Upr-1.1 شارژ بازیابی دیود در حالت سوئیچینگ از جریان مستقیم مستقیم ip = 50 میلی آمپر به ولتاژ معکوس پالس Uobr.i = 10 V ، pCl Qvoc 400 ظرفیت دیود کل در جبران صفر ، pF Sd-4.0

Colortron

Брест

دیود

برست

ابزار اندازه گیری (غیر الکتریکی و شیمیایی)

فیزیک

مهندسی

بلاروس

تولید شده در: برست, بلاروس

دیودهای پالس اپیتاکسیال-مسطح سیلیکونی kd522b

دیود KD522B ، تولید شده توسط JSC Tsvetotron ، برای مونتاژ دستی و خودکار تجهیزات طراحی شده است. این دستگاه برای کار در تجهیزات عمومی طراحی شده است. جرم دیود KD522B بیش از 0.15 گرم نیست. رنگ علامت گذاری سیاه است. پارامترهای الکتریکی اصلی دیود KD522B در جریان = 25 درجه سانتیگراد نام پارامتر, واحد اندازه گیری (حالت اندازه گیری) نامه تعیین از هنجار پارامتر نه کمتر از نه بیشتر جریان معکوس ثابت در ولتاژ معکوس ثابت Uobr = 50 V ، μa Iobr 1,0 ولتاژ ثابت به جلو در جریان ثابت به جلو Ipr = 100 میلی آمپر ، در Upr-1.1 شارژ بازیابی دیود در حالت سوئیچینگ از جریان مستقیم مستقیم ip = 50 میلی آمپر به ولتاژ معکوس پالس Uobr.i = 10 V ، pCl Qvoc 400 ظرفیت کل دیود در Uobr = 0-0. 05 V ، pF Sd-3.0

Брест

تولید شده در: برست, بلاروس

دیود D053-7100

دیود جوشکاری D053-7100 در نسخه تبلت دارای ولتاژ معکوس پالس تکراری URRM 200-400 ولت و تلفات استاتیک کم است. متوسط جریان جلو IFAV 7402 A است. طراحی استاندارد نصب را در تجهیزات موجود ساده می کند. حداکثر دمای انتقال Tjmax 150 درجه سانتیگراد است. قطر سطح تماس 44.4 میلی متر است. دیودها URRM [در دقیقه] [در دقیقه]: 200 URRM [در max] [در max]: 400 IFAV [A]: 7402 تی سی: 85 UFM (Tc=25°C) [In]: 1.05 IFM (Tc=25°C) [a]: 5000 U (TO)/Tjmax [IN]: 0.750 rT / tjmax [mOm]: 0.029 Tjmax [°C]: 170 Rthjc [°C / W]: 0.0090 مسکن: D. Q1 نسخه: تبلت نوع: جوشکاری

Орел

تولید شده در: اوریول

دیودهای مخلوط کننده 2A104A

محدوده طول موج عملیاتی: 8-60 سانتی متر; دمای کار محیط: منهای 60 درجه سانتیگراد-125 درجه سانتیگراد; وزن (نه بیشتر): 0.15 گرم; نوع مسکن (GOST 18472-88): KD121 مشخصات فنی: TR3. 360. 058 TU

کارخانه الکترونیک تومیلینسکی

Люберцы, рп Томилино

تولید شده در: تومیلینو, استان مسکو

دیودهای پالس مسطح اپیتاکسیال سیلیکونی kd521a ، KD521V

دیودهای KD521A ، KD521V ، تولید شده توسط JSC Tsvetotron ، برای مونتاژ دستی و خودکار تجهیزات طراحی شده اند. آنها برای کار در تجهیزات عمومی طراحی شده اند. جرم دیود kd521a ، KD521V بیش از 0.15 گرم نیست. رنگ علامت گذاری سیاه است. پارامترهای الکتریکی اصلی دیود kd521a ، KD521V در جریان = 25 درجه سانتیگراد نام پارامتر, واحد اندازه گیری (حالت اندازه گیری) نامه تعیین از هنجار پارامتر نه کمتر از نه بیشتر ولتاژ ثابت جلو در جریان جلو Ipr = 50mA ، در Upr 1.0 حداکثر ولتاژ جلو پالس مجاز در Ipr و حداکثر = 50 میلی آمپر ، در Upr و max-1.75 جریان معکوس ثابت در Uobr = 75V برای CD5217A Uobr = 50v برای CD5217V Iobr 1.0 شارژ بازیابی در Uobr = 10v ، Ipr = 10 mA Qvoc-200 ظرفیت کل دیود در Uobr = 0-0. 05 V ، pF Sd-3.0

Брест

تولید شده در: برست, بلاروس

دیودهای یکسو کننده 2d203a1 - E1/TE ، 2d203a2-E2/TE

دیودهای یکسو کننده انتشار سیلیکون در قاب شیشه ای فلزی فرکانس مجاز ولتاژ کار تا 1 کیلوهرتز است دمای کار محیط: - 60C - +125C; وزن (به حداکثر): 8 گرم; نوع مسکن (GOST 18472-88): KD-11 شرایط فنی: عیار.432120.455 تو

کارخانه الکترونیک تومیلینسکی

Люберцы, рп Томилино

تولید شده در: تومیلینو, استان مسکو

ممکن است علاقه مند باشید

خازن K15-12

آنها در حالت فرکانس بالا و همچنین در حالت پالس و مدارهای DC استفاده می شوند.

Ухта, пгт. Водный

تولید شده در: اوختا

خازن های الکترولیتی K50-32A

دامنه وسیع دمای کار، ولتاژ پایین، برای محصولات عمومی

کارخانه خازن ورونژ

Воронеж

ورونژ (نام یک شهر در روسیه)

تولید شده در: ورونژ (نام یک شهر در روسیه)

Saratov

تولید شده در: ساراتوف

Moscow

تولید شده در: مسکو

نوسانگر کوارتز GKZ26-S

مسکن SMD5032 اندازه 5. 0x3. 2x1. 3 (میلی متر) فرکانس 1-200 مگاهرتز سیگنال خروجی lvcmos

Волжский

تولید شده در: منطقه ولگوگراد, ولژسکی

آشکارساز ولتاژ K1230DN1BR

مشخصات فنی نام K1230DN1BR تعداد کانال ها 2 مسکن 2101.8-1 (DIP-8) نصب THT آنالوگ MC33161 توجه آشکارساز ولتاژ جهانی وضعیت تولید Ser / وضعیت تولید نام TU SF3. 438. 058-03 TUGK واگذاری otc حداقل دمای کار سه گانه ، بی بی سی -45 حداکثر دمای کار تکس مکس ، بی بی سی 85 محدوده ولتاژ عملیاتی ، از Uvx ، در 2 محدوده ولتاژ عملیاتی ، تا Uvc حداکثر ، در 40 ولتاژ خروجی دو ، در 40 ولتاژ باقیمانده Uost ، در 0.2 ولتاژ مرجع اورف ، در 2.54 ولتاژ انتشار Ugs th ، در 1.245 ولتاژ کار Ugs th max ، در 1.295 عرض هیستریزیس ام وی 25 جریان خروجی Iv ، A 0.02 جریان اتصال کوتاه Icz max و 0.03 مصرف فعلی در حالت استراحت حداکثر روشن / خاموش ، mkA 700 جریان نشت در خروجی Iol ، mkA 1

Брянск

تولید شده در: بریانسک

خازن آلومینیوم اکسید-الکترولیتی K50-105

اطلاعات فنی پایه ارزش نام ولتاژ نامی ، V 400 ؛ 450 ظرفیت رتبه بندی شده ، UF 120 ؛ 220 ؛ 330 انحراف ظرفیت مجاز (25 درجه سانتیگراد ، 50 هرتز) ، ٪ ±20 جریان دمای محیط بالا ، حداکثر مقدار در حین کار ، °C +85 کاهش جریان دمای محیط ، حداقل مقدار در حین کار ، -40 درجه سانتیگراد

Сарапул

تولید شده در: سرابول

خازن های شروع فیلم فلزی K78-22

این خازن ها برای کار به عنوان خازن جبران کننده طراحی شده اند: • در ماشین آلات نجاری; • در اتاق های سردخانه; * در پمپ ها; • در ماشین لباسشویی; • در آبمیوه گیری; • در مدارهای لامپ های فلورسنت و سایر لامپ های تخلیه; * چیزهای دیگر.

Кузнецк

تولید شده در: کوزنتسک

سوئیچ های موج رسان فریت

موسسه تحقیقاتی Ferrite-Domain سوئیچ های ferrite waveguide را برای فرکانس های عملیاتی از 7 تا 40 گیگاهرتز با باند فرکانس 5 ٪ ، از جمله سطح قدرت متوسط بالا (تا 150 وات) در نسخه های زمینی ، دریایی ، هوایی و فضایی توسعه و تولید می کند. محدوده عملیاتی سوئیچ های موج رسان سوئیچ های پرسرعت 7.7.. 95 گیگاهرتز سوئیچ های چند کاناله با سرعت بالا با بار 9.. 95 گیگاهرتز سوئیچ پشتیبان گیری 3.3 ... 96 گیگاهرتز

Санкт-Петербург

تولید شده در: سن پترزبورگ

خازن های الکترولیتی K50-29

دامنه وسیع دمای کار برای محصولات عمومی

کارخانه خازن ورونژ

Воронеж

ورونژ (نام یک شهر در روسیه)

تولید شده در: ورونژ (نام یک شهر در روسیه)

FNCH-45

خواص اساسی از دست دادن پهنای باند کم; یک نوار سد گسترده. شرایط عملیاتی محدوده دمای کار از منفی 10 تا 50 درجه سانتیگراد; رطوبت نسبی هوا تا 98 ٪ در دمای 25 درجه سانتیگراد است. مشخصات فنی مقطع موج رسان ، میلی متر 5.2×2.6 پهنای باند Fh-Fb at -1 dB ، GHz 37-45 باند مانع در سطح -30 دسی بل ، GHz 50-70 از دست دادن پهنای باند ، 0.5-1.0 dB

NPF "Technoyax"

Moscow

مسکو

تجهیزات اندازه گیری الکتریکی

تولید شده در: مسکو

خازن های فیلم فلزی پلی پروپیلن با ظرفیت ثابت K78-31

آنها برای کار به عنوان عناصر داخلی در داخل محصولات کامل در مدارهای جریان dc ، AC و پالس و در حالت پالس طراحی شده اند.

Кузнецк

تولید شده در: کوزنتسک

خازن K15U-1

جهانی. برای کار در تجهیزات رادیویی با قدرت بالا در حالت فرکانس بالا و در مدارهای DC.

Ухта, пгт. Водный

تولید شده در: اوختا

این LPF را می توان در ارتباط با فیلترهای باند پاس موج‌برهای برای افزایش سرکوب سیگنال های جعلی و گسترش نوار بالایی مانع استفاده کرد. خواص اساسی از دست دادن پهنای باند کم; یک نوار سد گسترده. شرایط عملیاتی محدوده دمای کار از منفی 10 تا 50 درجه سانتیگراد; رطوبت نسبی هوا تا 98 ٪ در دمای 25 درجه سانتیگراد است. مشخصات فنی مقطع موج رسان ، میلی متر 5.2×2.6 پهنای باند Fh-Fb at -1 dB ، GHz 45-53. 6 باند مانع در سطح -30 دسی بل ، GHz 60-78 از دست دادن پهنای باند ، 0.5-1.0 dB

NPF "Technoyax"

Moscow

مسکو

تجهیزات اندازه گیری الکتریکی

تولید شده در: مسکو

پودرهای سرامیکی با دمای پایین شلیک

پودرهای سرامیکی با دمای پایین با تلفات نسبتا کم برای ریخته گری نوارهای "خام" (فناوری LTCC) و تولید سایر بسترهای سرامیکی مورد استفاده در تولید مدارهای مایکروویو ترکیبی چند لایه طراحی شده اند.

Санкт-Петербург

تولید شده در: سن پترزبورگ

خازن های الکترولیتی K50-32

دامنه وسیع دمای کار، ولتاژ متوسط و بالا، برای مصارف عمومی

کارخانه خازن ورونژ

Воронеж

ورونژ (نام یک شهر در روسیه)

تولید شده در: ورونژ (نام یک شهر در روسیه)

هسته های ساخته شده از پودرهای فلزی مغناطیسی نرم

به طور کلی ، پودرهای شروع ذرات آلیاژهای فلزی مربوطه با عایق الکتریکی فردی هستند که در نتیجه حلقه های این مواد دارای ساختار با شکاف هوای توزیع شده هستند که در مورد حلقه های فریت با برش شیار و در هسته های W شکل ، زرهی و مربع-با سنگ زنی هسته مرکزی به دست می آید. هسته های این گروه از مواد مغناطیسی نرم دارای تعدادی از ویژگی های مهم هستند که به طور موثر قابل استفاده در گره های مختلف دستگاه های الکتریکی و تجهیزات ارتباطی: * مقاومت بالا; * تلفات هیستریزیس کم; • القای اشباع بالا; * ثبات القایی فوق العاده بالا در میدان های الکتریکی متناوب و ثابت; * پایداری زمانی بالا پارامترها. به درخواست مشتری ، هسته ها را می توان با یک فیلم پلی آمید 11 ("Rilsan") پوشاند که می تواند ولتاژ خرابی را تحمل کند تا 10 کیلو ولت

Санкт-Петербург

تولید شده در: سن پترزبورگ