Pld-CW-2000—ZIF یک درایور دیود لیزری dc برای تغذیه ماژول های دیود لیزری نوع پروانه 10/14 پین در شرایطی است که نیاز به تنظیم dc با دقت بالا با سطوح موج پایین دارد.

مدار راننده توسط یک منبع تغذیه 5 ولت dc تغذیه می شود. جریان. راننده یک کنترل کننده دو طرفه متناسب-انتگرال-تمایز (PID) خنک کننده ترمو الکتریکی (TEC) با توانایی تنظیم جریان و ولتاژ را به کار می گیرد.

حداکثر جریان TEC قابل تنظیم توسط کاربر است.

پارامترهای اصلی PLD-CW-2000-ZIF (جریان خروجی ، دمای تنظیم شده ، حداکثر جریان TEC ، سیگنال فوتودیود مانیتور) توسط یک رابط کامپیوتری کنترل می شوند.
راننده دارای پانل های نصب برای لحیم کاری دیود لیزری پروانه به طور مستقیم بر روی هیئت مدیره راننده و یک سینک حرارتی بزرگ برای اتلاف حرارت پایدار است.

ممکن است علاقه مند باشید

Hp1-82 مجموعه ای از مقاومت های غیر سیم دائمی

مجموعه ای از مقاومت های غیر سیم دائمی قدرتمند هستند که برای کار با یک گرماگیر در مدارهای الکتریکی جریان مستقیم ، متناوب و پالس طراحی شده اند.

Нижний Новгород

تولید شده در: نیژنی نووگورود

765p1 (2) حافظه بافر (ظرفیت 4x8 بیتی)

Павловский Посад

تولید شده در: پاولوفسکی پوساد, استان مسکو

تیراترون TGI1-700 / 25M

تیراترون ها با سرعت تکرار پالس تا 50 ، 000 پالس در ثانیه کار می کنند ، به شرطی که پالس و قدرت متوسط کاهش یابد. ولتاژ آنود ، ولتاژ آنود kV 25 معکوس شده است ، جریان آنود kV 1.25 – 5.0 در پالس ، جریان آنود 700 متوسط است ، مدت زمان پالس جریان آنود 1.0 ، شیب Mks 0.5 – 11.0 جبهه پالس جریان آنود ، a / s 1.5x109 سرعت تکرار پالس ، imp./ s 500 زمان گرمایش ، حداقل 7 جریان رشته ای ، و 22 ابعاد ØxH ، میلی متر 135x220

Ryazan

تولید شده در: ریازان

مقاومت قدرتمند P1-150

برای کار در مدارهای الکتریکی جریان مستقیم ، متناوب و پالس طراحی شده است.

Нижний Новгород

تولید شده در: نیژنی نووگورود

فوتودیود مبتنی بر سیلیکون P-I-N FD342-02

فوتودیود شامل یک صفحه سیلیکونی با مقاومت بالا با ساختار p-i-n است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد مشخصات فنی ارزش نام تعداد عناصر حساس به نور (PCE) 1 قطر PCE ، میلی متر 14 محدوده حساسیت طیف ، میلی متر 0.4 – 1.1 حساسیت تک رنگ فعلی در طول موج 1.06 میکرون ، A / W ، حداقل 0.2 حساسیت تک رنگ فعلی در حداکثر ، A / W ، نه کمتر جریان تاریک ، mkA ، بیش از 7 ولتاژ کار ، V 75 فرکانس محدود ، مگاهرتز ، حداقل 5 ظرفیت فوتودیود ، pF ، بیش از 70

Москва

تولید شده در: مسکو

ماژول فوتودتکتور ماتریس بر اساس یک ماتریس خنک شده از فوتودیودهای آنتیمونید ایندیوم FEM18M-02

مشخصات فنی ارزش نام فرمت ماتریس ، عناصر 640x512 مرحله عناصر ماتریس ، 15 میکرون حساسیت طیفی ، میکرون 3.6-4.9 نرخ فریم ، هرتز 50 نوع سیگنال خروجی آنالوگ GOST 7845-92 نوع لینک دوربین سیگنال خروجی دیجیتال ESHRT ، mK 25 وضوح فضایی جفت خطوط / میلی متر ، حداقل 33.3 وزن ، g ، بیش از 2200

Москва

تولید شده در: مسکو

765LE5 چهار دروازه منطقی"2 یا نه"

Павловский Посад

تولید شده در: پاولوفسکی پوساد, استان مسکو

یک ماژول فتوولتائیک بر اساس ماتریس فوتودیودها از ترکیب کادمیوم-جیوه-تلوریوم FEM8M

این ماژول شامل: یک فوتودتکتور ماتریس ، یک سیستم میکرو کریوجنیک استرلینگ یکپارچه و یک واحد رابط الکترونیکی است. مشخصات فنی ارزش نام فرمت: 384×288 مرحله عناصر ماتریس ، 28 میکرون محدوده حساسیت طیف ، mk 8-11 توانایی تشخیص خاص در حداکثر ویژگی طیفی ، W-1 * هرتز 1/2 * سانتی متر ، حداقل 4·1010 حساسیت ولت در حداکثر مشخصه طیفی ، V / W ، حداقل 107 نرخ فریم ، هرتز 50 زمان انباشت ، mks 0-64 تعداد خروجی ها 2 حداکثر فرکانس ساعت ، MHz 4 محدوده دینامیکی سیگنال های خروجی ، dB ، حداقل 60 وزن ، g ، بیش از 1400

Москва

تولید شده در: مسکو

خازن آلومینیوم اکسید-الکترولیتی K50-80

اطلاعات فنی پایه ارزش نام ولتاژ نامی ، V 16...160 ظرفیت رتبه بندی شده ، UF 680...22,000 ولتاژ کوتاه مدت برای 10 ثانیه ، در 1.15 U انحراف ظرفیت مجاز (25 درجه سانتیگراد ، 50 هرتز) ، % +30...-10 جریان دمای محیط بالا ، حداکثر مقدار در حین کار ، °C +100 کاهش جریان دمای محیط ، حداقل مقدار در حین کار ، °C -60

Сарапул

تولید شده در: سرابول

فوتودتکتور ماتریس FUC23M

ترکیب دستگاه فوتودتکتور شامل: ماتریس یک عنصر حساس به نور ساخته شده از نیتریدهای آلومینیوم-گالیوم ترکیبی با سیستم خواندن در یک محفظه خنک کننده ترمو الکتریکی است. مشخصات فنی ارزش نام فرمت عناصر حساس به نور 320X256 است ارتفاع عناصر حساس به نور ، 30 میکرون محدوده طیف ، میکرون 0.29-0.34 متوسط قابلیت تشخیص خاص در حداکثر حساسیت طیفی ، W-1 * Hz 1/2 * cm 1·1013 حداکثر نرخ فریم ، هرتز 400 وزن g ، نه بیشتر از 300

Москва

تولید شده در: مسکو

نوسانگر کوارتز GK416-P-7

مسکن SMD7050 اندازه 7. 0x5x1. 4 (میلی متر) فرکانس 10-1500 مگاهرتز Lvpecl ، سیگنال خروجی lvds

Волжский

تولید شده در: منطقه ولگوگراد, ولژسکی

دیودهای مخلوط کننده 2A104A

محدوده طول موج عملیاتی: 8-60 سانتی متر; دمای کار محیط: منهای 60 درجه سانتیگراد-125 درجه سانتیگراد; وزن (نه بیشتر): 0.15 گرم; نوع مسکن (GOST 18472-88): KD121 مشخصات فنی: TR3. 360. 058 TU

کارخانه الکترونیک تومیلینسکی

Люберцы, рп Томилино

تولید شده در: تومیلینو, استان مسکو

Павловский Посад

تولید شده در: پاولوفسکی پوساد, استان مسکو

765pu9 (2) مبدل سطح 8 بیتی دو طرفه

Павловский Посад

تولید شده در: پاولوفسکی پوساد, استان مسکو

لنزهای FAC300

مشخصات فنی ماده: S-TIH53 (اوهارا) طول ، میلی متر: 4 ارتفاع ، میلی متر: 0.5±0.02 ضخامت ، میلی متر: 0.4±0.01 شاخص انکساری ، میلی متر: 1.823 فاصله کانونی موثر ، میلی متر: 0.3 فاصله کانونی عقب ، میلی متر: 0.08 انتقال،%: > 99.5 قدرت در زاویه ± 2.2 mrad،%: > 92 پوشش ضد انعکاس ، nm در یکی از طول موج از محدوده: 400-1500 دیافراگم عددی: 0.7 کیفیت سطح λ = 633 نانومتر: λ / 4

Saratov

تولید شده در: ساراتوف

یک فوتودتکتور بر اساس یک فوتودیود P-I-N از ترکیب INGAAS FUO155

فوتودتکتور شامل یک فوتودیود p-i-n (اتصال InGaAs) و یک مدار پیش تقویت کننده یکپارچه ترکیبی است که در یک محفظه فلزی با پایانه های فلزی شیشه ای و یک پنجره ورودی مسطح قرار دارد. مشخصات فنی ارزش نام قطر عنصر حساس به نور ، میلی متر 0.2 محدوده حساسیت طیف ، میکرون 1.0-1.6 حساسیت ولت ، V / W ، حداقل 4·104 حساسیت پالس آستانه در طول پالس ورودی 5 ns ، W ، بیش از 5·10-8 زمان افزایش پالس خروجی ، ns ، بیش از 20 ولتاژ منبع تغذیه FPU ، V 9

Москва

تولید شده در: مسکو