半导体晶圆测试仪FSM1201P

用于监测半导体晶片参数的测试仪FSM1201P允许按照操作者设定的程序，自动测量放置在测量台上的直径为76、100、125、150和200毫米的平面平行抛光硅晶片。 一点的标准测量时间不超过20秒。

主要受控参数:

间质氧的浓度(板厚0.4-2.0mm)内(5×1015-2×1018)±5×1015 sm-3(半MF1188);
取代碳浓度(板厚0.4-2.0mm)范围:(1016-5×1017)±1016cm-3(半MF1391);
硅片中氧分布的径向不均匀性(半MF951);
n-n+和p-p+类型的硅结构的外延层的厚度在(0.5–10.0)±0.1微米、(10-200)±1%微米(SEMI MF95)的范围内;
CNS结构中外延硅层的厚度在(0.1-10.0)±1%微米范围内;
FSS层中的磷和bfss层中的硼/磷的浓度在(1-10)±0.2重量％以内。