红外傅里叶光谱仪FSM2211

该设备在光谱的中红外区域工作，具有用于输入来自外部源的辐射的光学端口，并配备惰性气体吹扫系统。 技术规格: 光谱范围，cm-1 370-7800 光谱分辨率，cm-10.1 信噪比（在2100-2200cm-1范围内测量时间为1min，分辨率为4cm-1）>60,000 获得一个全谱的最小时间小于，具有1 测量通道数2 具有Ge基涂层的KBr分束器 辐射源为高温金属陶瓷或外 DLATGS探测器，冷却光敏PbSe 比色皿隔间的尺寸，200x190x170 mm 外形尺寸,540x490x250 mm 重量，36公斤。

通用实验室IR傅里叶光谱仪FSM2201和FSM2202设计用于光谱中红外区域的科学研究和分析测量。 定性和定量分析气态，液态和固态的有机和无机物质样品，包括薄膜和粉末。 傅立叶光谱仪FSM2201/2202基于迈克尔逊干涉仪，具有自补偿功能，不需要动态调整。 光谱仪配有干燥空气或氮气吹扫系统，以最大限度地减少水蒸气和二氧化碳的光谱干扰，并具有光学窗口和分束器的防潮涂层。 仪器控制、自我测试、配准、分析和光谱处理的操作是自动化的，并使用个人计算机和由公司专家为Windowsxp/Vista环境开发的已安装的FSpec基本软件进行/7/8/10 ... 该程序具有直观的用户界面，允许您创建自己的fsm光谱仪上获得的光谱库，以及使用标准库并使用格式*的光谱。spe，*。spc，*。dx，*。asc。 频谱处理包括基本的数学运算和变换，搜索谱线和确定其参数。 根据标准方法工作：GOST、ASTM、EN、SEMI或在分析仪模式下进行测量，附加的软件模块与"按钮"控制的设备，附加的设备，内置的测量算法和校准被加载到FSpec平台。 该装置的通用性是通过在其比色皿室中安装各种气体和液体比色皿、光学附件和装置的可能性来确保的,从而可以研究液体、固体和气体样品。 FSM2201/2202型号的红外傅里叶光谱仪与之前生产的型号（FSM1201/1202）不同之处在于，其信噪比更高，比色皿更大。

小型红外傅里叶光谱仪，具有集成机顶盒和两个探测器，包括高度敏感的冷却MST。 工作模式：传输和反射，NIP，测量使用光纤探针（可能的版本与一个或两对内置连接器）。 可以连接红外显微镜，望远镜来记录外部辐射的光谱。 该光谱仪可用作便携式光谱仪，除其他外，还可用于技术过程的快速监测、储罐和管道中液体的质量控制、生物对象在线分析、远程气体分析等。 该装置旨在在各种材料上创建高质量图像，并提供橡胶陈词滥调密封件和邮票的生产，分辨率至少为1800dpi。

资料描述

它是在创新的Shtrik平台的基础上创建的，该平台基于独特的控制系统，其硬件和软件完全由我们公司的专家开发。
该装置旨在在橡胶，金属，塑料等材料上创建高质量图像，并提供至少1800dpi分辨率的陈词滥调印章和邮票的制作。
在安装中使用的光纤激光器与镀锌扫描仪系统相结合，可确保在静态模式下进行高质量的雕刻，不需要水冷却和特殊维护。
在组装系统时，只使用经过测试和认证的部件，这保证了特别长的使用寿命，而无需额外的投资。

特征:

一种用于样品的双坐标高精度定位系统，借助该系统可沿X、Y轴移动物体工作台。 由于定位系统和图像片段的顺序雕刻，可以根据操作员设定的加工程序在自动模式下以高精度加工尺寸高达200×300mm的工件;
使用用于沿Z坐标移动扫描头的高精度机构的自动逐层雕刻的算法允许您在金属工件（钢，黄铜，铝，钛等）中形成深达5mm的高度详细的3D图像。);
由于采用了自动算法，无需操作员参与，即可对深度3d图像进行长时间的逐层雕刻（可能需要数十小时）;
该装置配备了一个内置系统，用于从激光辐射暴露区去除gorenje产品，因此确保了扫描镜头不受生产产品的气味和保护，这在雕刻橡胶和塑料时尤为重要;
安装体完全复盖激光辐射的加工和传播区域，在安装外壳关闭的情况下，根据操作员设定的程序进行雕刻。 这种安装设计允许它归因于危险等级1的激光设备。

它的目的是记录近红外区和中红外区固体、液体和气体物质(包括药物、油漆和油漆、石油产品、炸药、药理制剂、聚合物薄膜和纤维)的吸收光谱,并对含有几种成分的混合物进行定性和定量分析。

技术规格: 光谱范围，cm-1 370-7800 光谱分辨率，cm-1 1.0（FSM2201）和0.5（FSM2202） 信噪比（在2100-2200cm-1范围内测量时间为1min，分辨率为4cm-1）>60,000 获得一个全谱的最小时间小于，具有1 具有Ge基涂层的KBr分束器 辐射源为高温金属陶瓷 DLATGS Pyropriemnik探测器 比色皿隔间的尺寸，150x190x170 mm 外形尺寸,520x370x250 mm 重量，28 公斤。

用于监测半导体晶片参数的测试仪FSM1201P允许按照操作者设定的程序，自动测量放置在测量台上的直径为76、100、125、150和200毫米的平面平行抛光硅晶片。 一点的标准测量时间不超过20秒。 主要受控参数: 间质氧的浓度(板厚0.4-2.0mm)内(5×1015-2×1018)±5×1015 sm-3(半MF1188); 取代碳浓度(板厚0.4-2.0mm)范围:(1016-5×1017)±1016cm-3(半MF1391); 硅片中氧分布的径向不均匀性(半MF951); n-n+和p-p+类型的硅结构的外延层的厚度在(0.5–10.0)±0.1微米、(10-200)±1%微米(SEMI MF95)的范围内; CNS结构中外延硅层的厚度在(0.1-10.0)±1%微米范围内; FSS层中的磷和bfss层中的硼/磷的浓度在(1-10)±0.2重量％以内。