ابحث

المواصفات الفنية: الحساسية: الكشف عن ذروة السيليكون من الدرجة الثالثة القرار المكاني: الجانبي (س ص) < 1 أوشم محوري (ض ) < 2 µ م الحد الأدنى من خطوة المسح من جدول رسم الخرائط 2 د: 100 نانومتر كاميرا المراقبة بالفيديو: ملونة (5 ميجابكسل على الأقل) مع إمكانية حفظ الصور على الكمبيوتر

المحاسبة الفنية: المجهر: مجهر مباشر مع برج لـ 6 عدسات دقيقة ، مع إضاءة ديود للتشغيل في وضع المجال الفاتح/المظلم في الضوء المنعكس وكاميرا فيديو ملونة. يتم اختيار مجموعة العدسات بشكل فردي بناء على نوع العينات التي يتم قياسها. مطياف: مطياف عالي الأداء بموضع شبكي ثابت. بناء على نوع العينات التي يتم قياسها ، يتم اقتراح نوعين مختلفين من صريف الحيود لضمان النطاق المسجل الأمثل والدقة الطيفية. كاشف: كاشف خطي حساس للغاية. يتراوح نطاق الحساسية الطيفية من 200 إلى 1100 نانومتر. عدد البكسل: 4096, حجم البكسل: 7 * 200 ميكرون. الليزر: الليزر دبس مع الطول الموجي من 532 0 0.1 نانومتر ، قوة 50 ميغاواط. اختياري: ليزر ديود بطول موجة 785 0 0.1 نانومتر ، قوة 130 ميجاوات مع عازل بصري. الحساسية: الكشف عن ذروة السيليكون من الدرجة الثالثة. القرار المكاني: الجانبي (س ص) < 1 µ م ؛ محوري (ض) < 2 µ م. كاميرا الفيديو: لون (5 ميجابكسل على الأقل) مع إمكانية حفظ الصور على الكمبيوتر. عينة المسح الضوئي: اختياري. الدقة الآلي هو الجدول مع مجموعة من الحركات من 100 * 75 ملم والحد الأدنى من الملعب من 100 نانومتر.