搜索

1490 商品
类​型
  • 已选择:
    用途
    加载中...
  • 已选择:
    名称
    加载中...
  • 已选择:
    公司
    加载中...
  • 已选择:
    原产地
    加载中...
  • 已选择:
    此外
    加载中...
筛选条件
  • 用途
    加载中...
  • 406
    名称
    加载中...
  • 139
    公司
    加载中...
  • 78
    原产地
    加载中...
  • 69
    此外
    加载中...
类​型
1490 商品
晶体管2T856A、2T856B、2T856V、2T856G
晶体管2T856A、2T856B、2T856V、2T856G
硅外延平面 n-p-n 高功率开关高压晶体管 2T856A、B、V、G,采用金属玻璃外壳 KT-9,设计用于开关电路、脉冲调制器、二次电源和其他专用设备电路。晶体管符合技术规范 aAO.339.383TU
Iskra
Ulyanovsk
生产于: 乌里扬诺夫斯克
透镜FAC286s
透镜FAC286s
规格 材质:S-TIH53(大原) 长度,毫米:12 高度,毫米:0.5±0.01 厚度,毫米:0.36±0.05 折射率,毫米:1.823 有效焦距,mm:0.29 后焦距,mm:0.09 透射率,%:>99.5 角度 ± 2.3 mrad 内的功率,%:>85 抗反射涂层,nm 适用于范围内的波长之一:400-1500 数值孔径:0.5 表面质量λ=633,纳米:λ/4。
INZHEKT
Saratov
生产于: 萨拉托夫
具有镜像通道抑制的混频器
具有镜像通道抑制的混频器
可用选项 模式和参数的名称 技术要求 实际值 RF输入端的工作频率范围,GHz 4.0 - 8.0 ,分别。 LO外差的工作频率范围,GHz 4.0 - 8.0 ,分别。 IF输出的工作频率范围,MHz 10-50resp. 转换损耗,不超过,dB 10 8 外差的信号强度,不小于,dBm 13 13-19 抑制输入端的外差频率,不小于dB 30 40 输出端外差频率的抑制,不小于dB 30 30 VSWRF,不超过一次 2.5 2.5 VSWRL,不超过一次 2.0 2.0 输出电阻IF,欧姆 50resp. 输入压缩功率至少为1dB 11 11 镜像通道抑制,dB,不小于 25 25.
Green
Tomsk
生产于: 托木斯克
自动频率卸载用微处理器装置 PARMA UACHR 12
自动频率卸载用微处理器装置 PARMA UACHR 12
PARMA UACHR 12 旨在通过在频率降低时自动断开用电设备的连接,然后在频率恢复时自动重新连接之前断开的用电设备来消除网络中有功功率的短缺,以及消除网络中无功功率的短缺。当电压下降时,通过断开用电设备的连接,然后在电压恢复时自动重新连接,打开之前断开的用电设备。 PARMA UACHR 12可以执行分度自动装置的功能,用于电力系统的发电厂和变电站,也可以作为0.4kV网络的本地紧急自动装置的装置,作为自动负载控制系统的一部分。 PARMA UACHR 12 是俄罗斯第一款获得符合 SO UES JSC STO 59012820.29.020.003-2016“继电保护和自动化”组织标准要求的证书的微处理器减频设备。电力系统模式的自动紧急控制。用于自动频率卸载的微处理器装置。规范和要求”编号NC11.SO.RU.0417.0001 一台设备 PARMA UAChR 12 可以替代 RSG-11 型微电子或机电继电器上制作的标准 AChR 电路; RF-1、RF-2 和 URCH-ZM
PARMA
Saint Petersburg
生产于: 圣彼得堡
晶体管 2T879A、2T879B
晶体管 2T879A、2T879B
采用金属陶瓷封装的硅平面 n-p-n 功率开关晶体管 2T879A、2T879B 专为在功能强大的关键器件中运行而设计。
Iskra
Ulyanovsk
生产于: 乌里扬诺夫斯克
晶体管2T878A、2T878B、2T878V
晶体管2T878A、2T878B、2T878V
硅外延平面 n-p-n 高功率开关高压晶体管 2T878A、2T878B、2T878V,采用金属玻璃外壳 KT-9,设计用于开关电路、脉冲调制器、二次电源和其他专用设备电路。 晶体管符合技术规范 aAO.339.574TU
Iskra
Ulyanovsk
生产于: 乌里扬诺夫斯克
透镜SAC500
透镜SAC500
规格 材质:S-TIH53(大原) 长度,毫米:5.8±0.02 高度,毫米:1.5±0.02 厚度,毫米:0.55±0.01 折射率,毫米:1.823 节距,毫米:0.5 半径,毫米:1.49 有效焦距,毫米:1.81 后焦距,毫米:1.5 透射率,%:>99.5 抗反射涂层,nm 适用于范围内的波长之一:400-1500 数值孔径:0.09 表面质量 λ = 633 nm% λ/4 全角残余偏差 FW1/e2(对于无线性偏差的激光二极管),mrad:90.0。
INZHEKT
Saratov
生产于: 萨拉托夫
透镜FAC300
透镜FAC300
规格 材质:S-TIH53(大原) 长度,毫米:4 高度,毫米:0.5±0.02 厚度,毫米:0.4±0.01 折射率,毫米:1.823 有效焦距,mm:0.3 后焦距,mm:0.08 透射率,%:>99.5 角度 ± 2.2 mrad 内的功率,%:>92 抗反射涂层,nm 适用于范围内的波长之一:400-1500 数值孔径:0.7 表面质量λ=633,纳米:λ/4。
INZHEKT
Saratov
生产于: 萨拉托夫
变压器200/400
变压器200/400
规格 材质:S-TIH53(大原) 长度,毫米:13 高度,毫米:1 厚度,毫米:1.5 折射率,毫米:1.823 周期,毫米:0.4 45°位置半径,毫米:1.35 透射率,%:≥99.5 抗反射涂层,nm,适用于范围内的波长之一:400-1500 λ = 633 nm 处的表面质量:λ/4。
INZHEKT
Saratov
生产于: 萨拉托夫
透镜FAC910
透镜FAC910
规格 材质:S-TIH53(大原) 长度,毫米:5 高度,毫米:1.5±0.02 厚度,毫米:1.5±0.01 折射率,毫米:1.823 有效焦距,mm:0.91 后焦距,mm:0.09 透射率,%:>99.5 角度 ± 0.7 mrad 内的功率,%:>85 抗反射涂层,nm 适用于范围内的波长之一:400-1500 数值孔径:0.8 表面质量λ=633,纳米:λ/4。
INZHEKT
Saratov
生产于: 萨拉托夫
变压器150/500
变压器150/500
规格 材质:S-TIH53(大原) 长度,毫米:13 高度,毫米:1 厚度,毫米:1.5 折射率,毫米:1.823 周期,毫米:0.5 45°位置半径,毫米:1.35 透过率,%:≥99.5 抗反射涂层,nm 适用于范围内的波长之一:400-1500 λ = 633 nm 处的表面质量:λ/4。
INZHEKT
Saratov
生产于: 萨拉托夫
继电保护微处理器单元测试装置SPU-2
继电保护微处理器单元测试装置SPU-2
1 个卖家有售
使您能够显着简化检查、配置和演示微处理器继电保护单元的过程。 使用该支架可以显着简化演示、测试和配置微处理器继电保护单元的过程。该支架可以测试过流保护和单相接地故障等保护,包括方向保护、最小电压保护、中压继电保护、线路缺相保护。使用该支架可以方便地检查继电保护和自动化单元的自动化功能,例如断路器故障、自动重合闸、自动切换等。
PARMA
Saint Petersburg
生产于: 圣彼得堡