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NPVO和ZDO的通用机顶盒,带有钻石元素和内置迷你显示器
NPVO和ZDO的通用机顶盒,带有钻石元素和内置迷你显示器
它设计用于通过在集成和外部监视器上同时可视化微物体的干扰全内反射方法以及在样品上部位置入射角为45o的镜面漫反射方法进行测量。 单个NIP模式中的前缀用于登记吸收光谱: 任何粘度的液体(溶液、悬浮液、油等).),包括具有高化学活性的那些; 任意形状的固体物体,包括具有非常高硬度的样品(任何聚合物,油漆涂层的碎片等。); 粉状物质,包括具有非常高硬度的粉末(药物,药品,爆炸物,无机化合物); 薄膜形式的样品; 纤维形式的样品。 金刚石的最大硬度和耐化学性显着扩展了该方法的可能性;不需要定期更换晶体。 机顶盒允许您注册光谱,而无需耗时的样品制备,并且具有高品质摄像机和内置高清微型监视器的研究表面视觉检测系统的存在提高了处理小样品时的效率-细纤维碎片,微粒等。 内置监视器具有数字10倍变焦,反相等功能。 图像可以同时显示在计算机屏幕上(使用USB接口),然后保存为文件。 可拆卸法兰提供了一个快速和方便的样品更换和清洁晶体表面。 在NPVO的基础平面上方突出金刚石元件的设计允许您研究具有足够大的整体尺寸的样品。 由于没有物质层厚度对光谱形状和吸收带强度的影响,结果的高质量和可重复性得以实现。 样品保留了其原始的物理化学性质,如果需要,可以通过其他方法进一步研究。 通用附件夹配有一个精密杠杆机构,用于快速降低尖端和一个千分尺螺钉,允许您预先设置最佳的压力程度–这确保快速更换样品和测量结果的重复性。 为了方便处理液体和糊状样品,以及在ZDO模式下,可以将夹紧控制台旋转180o。该控制台配有两个可更换的尖端-一个球形工作部件和一个平铰头。 金刚石的高硬度允许使用大的夹紧力,这是获得高质量光谱的决定因素。 替换表用于登记镜面和漫反射光谱。 样品向下位于被调查表面的被调查平面上。 该方法用于测定光学零件、表面薄膜、晶体和其他任意形状和大小的大型固体物体的光谱特性。
SIMEKS
Novosibirsk
生产于: 新西伯利亚
多通气体比色皿KG48
多通气体比色皿KG48
多通道气体比色皿KG48专为测定阈值<1ppm的气体中的杂质而设计。 光路长度为0.8-4.8m,变化步长为0.8m。 波纹管阀门。 窗户Ø22毫米,材料:kbr与防潮涂层或CaF2。 比色皿的体积为2.4升。
Infraspek
Saint Petersburg
生产于: 圣彼得堡
金属样品分析样品的蒸汽发生器"方面"
金属样品分析样品的蒸汽发生器"方面"
“Aspect” 金属样品蒸发器的工作过程包括:: 控制原子发射光谱分析综合体的所有设备-MAES分析仪,球闪电发生器,包括外部设备; 在钨反电极和测试样品-贵金属锭或其他金属样品的表面之间激发火花单极放电; 通过改变由计算机控制的半导体火花发生器产生的火花脉冲的重复频率和功率来调节样品表面的侵蚀强度; 通过光纤使用内置光谱仪监测搜寻的稳定性和质量; 高纯度氩气的可调流量通过密封放电室中的火花放电区,拾取表面火花侵蚀获得的样品颗粒,并将其以气溶胶的形式转移到光发射光谱仪的电感耦合等离子体炬的混合器/喷雾器的区域。; 高纯度氩气的流量由微处理器控制的质量流量控制器提供、控制和调节,范围从0.5到3升/分钟。 进料稳定性0.01l/min。
生产于: 新西伯利亚
MAES原子发射光谱多通道分析仪
MAES原子发射光谱多通道分析仪
MAES分析仪是测量谱线强度,然后计算要确定的元素浓度的现代工具。
生产于: 新西伯利亚
光电机顶盒FEP-10
光电机顶盒FEP-10
与光学装置一起,FEP-10前缀用于基于根据标准样品构造的校准特性的各种材料的定性和定量分析。 技术规格: 光电探测器的类型是具有高动态范围的线性CMOS接收器。 数的光电探测器3...12 感光元件(像素)的尺寸,7x200 微米。 一个CCD标尺上的像素数为4096 一个CCD标尺记录的光谱长度 29mm. 记录光谱的总长度,高达340 mm.
OKB Spektr
Saint Petersburg
生产于: 圣彼得堡
通用光谱仪"Express"
通用光谱仪"Express"
光谱仪设计用于对工厂和研究实验室中的各种物质和材料(粉末,金属,溶液)进行定量和定性分析。 由于Paschen-Runge光学系统的垂直布置,光谱仪结构紧凑。 它由两台MAES分析仪组成,10行光电二极管安装在半径为520mm的圆上,一个非经典凹面衍射光栅,一个内置计算机的特殊工作台和一个光谱激发源。
生产于: 新西伯利亚
用于分析金属和合金的 PAPUAS-4 光谱仪
用于分析金属和合金的 PAPUAS-4 光谱仪
PAPUAS-4 是同类产品中价格、功能和质量最优的仪器。该仪器可以对金属进行精确的定量分析,并在短时间内确定合金等级。 在 PAPUAS-4 的帮助下,几乎可以分析门捷列夫周期表中除 C、P 和 S 以外的所有元素。
Aktiv
Saint Petersburg
生产于: 圣彼得堡
半导体晶圆测试仪FSM1201P
半导体晶圆测试仪FSM1201P
用于监测半导体晶片参数的测试仪FSM1201P允许按照操作者设定的程序,自动测量放置在测量台上的直径为76、100、125、150和200毫米的平面平行抛光硅晶片。 一点的标准测量时间不超过20秒。 主要受控参数: 间质氧的浓度(板厚0.4-2.0mm)内(5×1015-2×1018)±5×1015 sm-3(半MF1188); 取代碳浓度(板厚0.4-2.0mm)范围:(1016-5×1017)±1016cm-3(半MF1391); 硅片中氧分布的径向不均匀性(半MF951); n-n+和p-p+类型的硅结构的外延层的厚度在(0.5–10.0)±0.1微米、(10-200)±1%微米(SEMI MF95)的范围内; CNS结构中外延硅层的厚度在(0.1-10.0)±1%微米范围内; FSS层中的磷和bfss层中的硼/磷的浓度在(1-10)±0.2重量%以内。
Infraspek
Saint Petersburg
生产于: 圣彼得堡
测试液层厚度可调的液体比色皿
测试液层厚度可调的液体比色皿
以安装在FT-801光谱仪的比色皿隔室中的光学-机械附件的形式制成具有所研究液体的可调层厚度的液体比色皿。 它包含聚焦光学器件,两个直径为10mm的窗口基板的可拆卸支架和放置在控制台外壳的上面板上的两个调节螺钉,旨在设置窗口之间所需的间隙。 任何粘度程度的液体以小滴的形式预先施加到下部窗口,然后,在窗口平滑收敛的过程中,均匀地填充它们之间的间隙。 通过旋转调节螺钉并在线观察透射光谱,用户有机会设置所需的液体层厚度,由整个光谱的整体强度或由特定吸收带的强度引导。 在存在校准(使用ZaIR3.5程序对已知浓度的多个样品易于创建)的情况下,比色皿可进行定量测量。 比色皿在分析含有小比例杂质的混合物时是必不可少的。 技术规格 在频谱的工作范围内传输,输入信号的%至少为50 配准光谱时推荐的扫描次数为16 16次扫描时的频谱配准时间(分辨率4cm-1),sec20 研究液体的最小体积,mm31 焦点的直径,mm3 外形尺寸,mm200×90×160 重量,公斤1,1 该图显示了粘性润滑剂"Buxol"的几个光谱,说明了在窗口之间选择样品层厚度的过程。 测量过程具有较高的表达性和再现性,采用廉价的可更换衬底窗,系统易于配置和清洁,需要极少量的样品以获得高质量的光谱。
SIMEKS
Novosibirsk
生产于: 新西伯利亚