Поиск

Высококогерентные перестраиваемые диодные лазеры с внешним резонатором применяются в проектах, связанных с разработкой оптических стандартов частоты (на ионах иттербия, тория), в исследованиях вырожденных газов, ридберговских атомов.

Турель устанавливается на оптический рельс перед входной щелью монохроматора. В фильтровом колесе расположены 6 светофильтров и 2 пустых отверстия. Светофильтры, установленные в фильтровом колесе, предназначены для срезания высших порядков дифракции в следующих областях спектра: 0,36-0,6; 0,6-1,0; 1,0-1,5; 1,5-2,5; 2,5-3,2; 3,2-5,3 мкм. По заказу турель может быть поставлена с неполным набором фильтров. Технические характеристики: Количество фильтров 6 Габаритные размеры, мм, не более 70х110х170 Масса, кг, не более 2,3.

Масштабный макет (масштаб​ 1:2) ускоряющей структуры в сборе линейного ускорителя электронов, предназначенного для лучевой терапии, разработка НИЯУ​ МИФИ в интересах "Русатом Хэлскеа"​. Ускоритель электронов на энергию 6 МэВ с локальной биологической защитой предназначен для работы в составе комплекса для дистанционной лучевой терапии. Головной образец комплекса должен быть завершен до конца 2022 года.

Насадка ОВНк позволяет подключать оптоволоконные кабели со стандартным круглым наконечником (FC -коннектором). Насадка ОВНп позволяет подключать оптоволоконные кабели с прямоугольным наконечником размером 1 х 3 мм. Насадка ОВНп позволяет устанавливать наконечник оптоволоконного кабеля как параллельно, так и перпендикулярно входной или выходной щели монохроматора. Масса 3.5 кг

Предназначен для обнаружения локальных участков радиоактивного загрязнения на местности, в жилых и рабочих помещениях, измерения мощности дозы гамма-излучения, накопленной дозы за период, устанавливаемый пользователем, и звуковой сигнализации превышения установленного пользователем порога мощности дозы гамма-излучения. Технические характеристики: измерение мощности эквивалентной (экспозиционной) дозы гамма-излучения в диапазоне от 0,1 до 999 мкЗв/ч с представлением результатов на цифровом индикаторе измерение накопленной дозы излучения с момента включения, а также с момента специальной операции сброса в ноль, после чего осуществляется новый цикл накопления дозы с сохранением в периоды выключенного состояния прибора. Максимальное индицируемое значение накопленной дозы – 999 мЗв сигнализация превышения одного из выбранных пользователем пороговых уровней мощности эквивалентной (экспозиционной) дозы 0,5; 1; 2 и 5 мкЗв/ч прерывистым звуковым сигналом время срабатывания сигнализации о превышении порогового уровня не более: - для порогового уровня 0,5 и 1 мкЗв/ч – 60 с - для порогового уровня 2 и 5 мкЗв/ч - 10 с энергетическая зависимость показаний прибора не более ± 45 % в диапазоне энергий от 0,05 до 1,5 МэВ время установления рабочего режима не более 10 с напряжение питания (3,3-2,4) В ток потребления при регистрации естественного радиационного фона не более 0,35 мА и не более 20 мА при регистрации превышения порогового уровня 5 мкЗв/ч время непрерывной работы при регистрации естественного радиационного фона без смены элементов питания не менее 25 суток габаритные размеры прибора не более 70 х 137 х 25 мм и не более 85 х 150 х 40 мм с упаковкой масса прибора не более 150 г без упаковки и не более 200 г с упаковкой рабочие условия применения: - температура окружающего воздуха от + 5 до + 40º С - относительная влажность воздуха до 80 % при температуре 35º С

Фотоприемное устройство с фотоэлектронным умножителем ФПУ ФЭУ может комплектоваться ФЭУ 1P28 для работы в диапазоне от 185 до 600 нм, или ФЭУ R928 для работы в диапазоне от 185 до 900 нм, или ФЭУ R5108 для диапазона от 400 до 1200 нм в зависимости от пожеланий заказчика. Все перечисленные ФЭУ производит фирма Hamamatsu. Устройство также содержит активную ламповую панель, включающую регулируемый высоковольтный источник питания и активный делитель напряжения и АЦП.

Диаметр: до 150 мм Длина слитка: до 150 мм. Ориентация: <100>, <111>, <100> +6° в направлении <111> Допуск на пластинах: ± 0,5° Значение EPD: от 500 до 5000/см2. Легирующая добавка: галлий p-типа (Ga), сурьма n-типа (Sb). Удельное сопротивление при 20°C: от 0,002 до 45 Втсм. Радиальный разброс удельного сопротивления: от 1 до 10 % Осевой разброс удельного сопротивления вдоль слитка: от 10 до 30 %.